[发明专利]半导体加工用表面保护粘着带

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置加工所使用的表面保护粘着带，更详细而言，本发明涉及用于半导体晶片背面研削时优选的半导体加工用表面保护粘着带。

背景技术

半导体晶片(以下记为晶片)的加工步骤中，在晶片表面形成图案后，进行所谓背面研削、研磨，将晶片背面研削、研磨至特定厚度。此时，为了保护晶片表面，在晶片表面贴合表面保护粘着带，并于该状态下对晶片背面进行研削。作为表面保护粘着带，提出了一种表面保护粘着带，其在乙烯乙酸乙烯酯共聚物(以下记为EVA)等聚烯烃基材树脂膜上设置有以丙烯酸系聚合物作为主成分的粘着剂层(例如参照专利文献1)。

晶片表面的图案中存在各种电子电路或电极、对这些进行保护的聚酰亚胺等保护膜、以及在将晶片单片化成芯片的切晶步骤时刀片所切入的沟槽(即槽线)。由于如上所述的结构，导致晶片表面并不平滑，存在数μm～数十μm的阶差、凹凸。

该阶差的大小或形状因晶片或装置的种类而各种各样，业界期待通过贴合表面保护粘着带与晶片表面的阶差密合来填补间隙。然而，晶片的阶差大或带较硬的情况下，表面保护粘着带对晶片表面的贴附性不足，因而产生所谓渗流现象，在背面研削时或化学机械研磨时，研削水或研磨液(浆料)渗入到晶片与带的间隙之中。

由于产生渗流，造成带自晶片剥离并以该部位为起点于晶片中产生裂痕而导致破损，或者成为产生由渗入水所造成的晶片表面的污染或糊料的附着而使成品率严重恶化的原因。

针对渗流，已知有利用加厚粘着剂、降低粘着剂的弹性模数等方法提高对晶片表面的密合性的方法(例如参照专利文献2)。另外，通过提高粘着力也可期待相同的效果。

通过采用如上所述的方法，带的粘附力同时上升。所谓粘附力，其是指所谓用手指接触表面时的黏性感，其是用以满足粘着于被粘着体的粘着带的最基本条件所必需的特性。

另一方面，过强的粘附力将导致粘着带在使用方面随处可见弊端。例如，将保护粘着带贴合至晶片上时使用所谓贴合机的装置。处于带卷出位置的带由各种辊支持而剥离脱模膜，贴合于晶片上并切割成晶片形状，最终卷取不用部分并回收。(例如参照专利文献3)

粘着带贴合在晶片后被卷取时，存在粘着剂与支持辊接触的部分。若带的粘附力较大，则存在带难以自辊剥离而直接卷绕在辊上的情况。

因此，业界期望一种兼具对晶片表面保护而言较为充分的粘着力及对作业性影响较小的粘附力的带。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本特开2000-8010号公报

[专利文献2]日本特开2002-53819号公报

[专利文献3]日本特开2010-98132号公报

发明内容

本发明的课题在于解决上述问题，提供一种半导体加工用表面保护粘着带，在半导体晶片的加工，具体地说，硅晶片等的背面研削步骤中，即使对于阶差或凹凸大的晶片，也不会因其粘着力而导致产生渗流，并且作业性良好。

本发明人等对上述课题进行了潜心研究，结果发现，粘着力与探针粘附力之比处于特定范围的半导体加工用表面保护粘着带可在背面研削步骤中防止渗流，带来良好的作业性。本发明是基于该见解而完成的。

即，本发明利用下述方法解决上述课题。

(1)一种半导体加工用表面保护粘着带，其于基材上具有粘着剂层，

该粘着带的探针粘附力B为0.08～0.20(MPa)，且该粘着带的粘着力A(N／25mm)与探针粘附力B(MPa)之比C(A／B)为10(N／25mm／MPa)以上。

(2)如上述(1)所述的半导体加工用表面保护粘着带，其中，上述粘着力A为0.9～2.0(N／25mm)。

(3)如上述(1)或(2)所述的半导体加工用表面保护粘着带，其中，上述粘着剂层的厚度为15～55μm。

(4)如上述(1)至(3)中任一项所述的半导体加工用表面保护粘着带，其中，上述基材由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成。

根据本发明，可提供一种半导体加工用表面保护粘着带，在半导体晶片的加工，具体地说，在硅晶片等的背面研削步骤中，即便对于阶差或凹凸大的晶片也可防止渗流，并改善作业性。

通过下述记载，对本发明的上述及其它特征及优点进一步进行阐明。

具体实施方式

本发明的半导体加工用表面保护用粘着带由基材及形成于基材上的粘着剂(接着剂层)构成。