[发明专利]磁场空间的形成方法在审

专利信息
申请号: 201380001942.5 申请日: 2013-05-01
公开(公告)号: CN103988397A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 畑中武藏;井上真弥;津田尚 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H02J17/00 分类号: H02J17/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 磁场 空间 形成 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及形成磁场强度较小的磁场空间的方法。

背景技术

近年来,笔记本型PC(personal computer:个人计算机)、平板型PC、数码相机、便携式电话等人们能够携带使用的小型的电子设备正迅速普及。而且,这些电子设备中的大部分装载有充电电池,并需要定期进行充电。为了使对这些电子设备的充电电池的充电作业变得简单,通过在供电装置与装载于电子设备的受电装置之间利用无线方式的电力传送供电技术(使磁场变化来进行电力传送的无线电力传送技术)对充电电池进行充电的设备正不断增加。

例如,作为无线电力传送技术,能够列举如下一种无线电力传送技术:利用供电装置和受电装置所具备的共振器间的共振现象使磁场耦合,由此进行电力传送(例如参照专利文献1)。

在上述无线电力传送技术中,在共振器间发生共振现象时,在供电装置和受电装置所具备的共振器周围产生磁场。其结果是存在以下问题:配置于供电装置、受电装置的内部、外部的整流器、可充电电池、其它电子部件等中产生由磁场引起的涡电流而发热,对整流器、可充电电池、电子部件等造成不良影响。

为了解决由上述磁场导致的问题,例如在专利文献2中公开了一种能够在以非接触供电方式进行电力传送的供电装置中减少泄露电磁场的电力传送系统。另外,在专利文献3中公开了一种能够将送电线圈与受电线圈间的磁场变小的送受电装置。

专利文献1:日本特开2010-239769号公报

专利文献2:日本特开2011-147213号公报

专利文献3:日本特开2010-239847号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而,在专利文献2的电力传送系统和专利文献3的送受电装置中,没有提及有意图地形成磁场强度小的磁场空间的内容,并且没有提及以下想法:在考虑在供电装置、受电装置中配置整流器、可充电电池、其它电子部件等的位置、大小等之后,使磁场强度小的磁场空间在何处、以怎样的大小、什么样的形状产生。

因此,本发明的目的在于提供如下一种磁场空间的形成方法:在供电模块中的线圈与受电模块中的线圈之间有意图地形成磁场强度小的磁场空间,并且能够控制磁场强度小的磁场空间的形成位置、磁场空间的大小、磁场空间的形状。

用于解决问题的方案

用于解决上述问题的发明之一是一种磁场空间的形成方法,其特征在于,当通过共振现象从供电模块中的线圈对受电模块中的线圈供给电力时,在上述供电模块中的线圈与上述受电模块中的线圈之间的期望位置处形成具有比该期望位置以外的磁场强度小的磁场强度的磁场空间。

根据上述方法,通过共振现象从供电模块中的线圈对受电模块中的线圈供给电力,由此能够在供电模块中的线圈与受电模块中的线圈之间的期望位置处形成具有比该期望位置以外的磁场强度小的磁场强度的磁场空间。

另外,用于解决上述问题的发明之一是一种磁场空间的形成方法,其特征在于,将上述供电模块中的线圈和上述受电模块中的线圈接近配置,以使得在上述供电模块中的线圈周围产生的磁场与在上述受电模块中的线圈周围产生的磁场抵消,由此在上述供电模块中的线圈与上述受电模块中的线圈之间的期望位置处形成具有比该期望位置以外的磁场强度小的磁场强度的磁场空间。

根据上述方法,在通过共振现象从供电模块中的线圈对受电模块中的线圈供给电力时,通过将供电模块中的线圈和受电模块中的线圈接近配置,能够使在供电模块中的线圈周围产生的磁场与在受电模块中的线圈周围产生的磁场抵消,从而能够在供电模块中的线圈与受电模块中的线圈之间的期望位置处形成具有比该期望位置以外的磁场强度小的磁场强度的磁场空间。

另外,用于解决上述问题的发明之一的特征在于,在上述磁场空间的形成方法中,当通过上述共振现象从上述供电模块中的线圈对上述受电模块中的线圈供给电力时,对供给到上述供电模块中的线圈的电力的频率进行设定,使得流经上述供电模块中的线圈的电流的方向与流经上述受电模块中的线圈的电流的方向为相反方向。

在上述方法中,在利用共振现象进行电力传送时,通过将供电模块中的线圈和受电模块中的线圈接近配置,使表示供电模块中的线圈与受电模块中的线圈的耦合强度的耦合系数变高。在像这样地在耦合系数高的状态下测量传送特性“S21”(作为从供电模块中的线圈对受电模块中的线圈输送电力时的送电效率指标的值)时,其测量波形为峰值在低频侧和高频侧分离。

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