[发明专利]薄膜热敏电阻元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201380001059.6 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103688320A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 伊藤谦治;丰田直 | 申请（专利权）人： | SEMITEC株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 热敏电阻 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜热敏电阻元件，其为具备基体、形成于所述基体上的热敏电阻薄膜以及形成于所述热敏电阻薄膜的膜上、膜下或膜中的至少一对电极的薄膜热敏电阻元件，其特征在于，所述一对电极具备由白金或其合金等形成的电极层，所述电极层为晶体。
2.根据权利要求1所述的薄膜热敏电阻元件，其特征在于，
所述电极层的结晶状态为<111>取向的粒状结晶，且包含氧和氮中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的薄膜热敏电阻元件，其特征在于，
所述电极层的结晶状态为<111>取向的柱状结晶，且包含氧和氮中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的薄膜热敏电阻元件，其特征在于，
所述电极层的结晶状态为<111>取向的粒状和柱状结晶，且包含氧和氮中的至少一种。
5.根据权利要求2～4所述的薄膜热敏电阻元件，其特征在于，
所述电极层中的氧和氮中的至少一种的含量为0.01重量%以上且为4.9重量%以下。
6.一种薄膜热敏电阻元件的制造方法，其为在形成于基体上的热敏电阻薄膜的膜上、膜下或膜中使一对电极图案形成的薄膜热敏电阻元件的制造方法，其特征在于，其具备
使电极层成膜的第一工序，
使至少一对电极图案形成的第二工序，以及
通过对所述电极层进行热处理而成为结晶状态的第三工序。
7.根据权利要求6所述的薄膜热敏电阻元件的制造方法，其特征在于，
在所述第一工序中加入氧和氮中的至少一种而使所述电极层成膜，通过第三工序的热处理工序，所述电极层的结晶状态成为<111>取向的粒状结晶。
8.根据权利要求6所述的薄膜热敏电阻元件的制造方法，其特征在于，
在所述第一工序中加入氧和氮的至少一种而使所述电极层成膜，通过第三工序的热处理工序，所述电极层的结晶状态成为<111>取向的柱状结晶。
9.根据权利要求6所述的薄膜热敏电阻元件的制造方法，其特征在于，
在所述第一工序中加入氧和氮中的至少一种而使所述电极层成膜，通过第三工序的热处理工序，使所述电极层的结晶状态成为<111>取向的粒状和柱状结晶。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的薄膜热敏电阻元件的制造方法，其特征在于，
所述电极层中的氧和氮中的至少一种的含量为0.01重量%以上且为4.9重量%以下。
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