[发明专利]氮化物半导体发光元件和具备该氮化物半导体发光元件的光源

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其中，具备：

n侧电极；

p侧电极；

n型氮化物半导体层，其与所述n侧电极电连接；

p型氮化物半导体层，其具有非极性面或半极性面的主面；和

活性层，其位于所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层之间，

并且，

所述p型氮化物半导体层，包含具有30纳米以上、50纳米以下的高度的突起，

所述突起，由不仅含有镁、而且也含有硅的p型氮化物半导体形成，

所述p型氮化物半导体具有1.0×10¹⁷cm^-3以上、6.0×10¹⁷cm^-3以下的硅浓度，

所述突起从所述活性层朝向所述p侧电极突出，

所述氮化物半导体发光元件在俯视下，所述p侧电极与所述突起重叠，

所述突起含有位错，

在所述突起的周围，形成有由所述p型氮化物半导体形成的平坦面，

所述突起具有比所述平坦面高的位错密度。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述突起具有5.0×10^-7cm²以上、3.8×10^-6cm²以下的表面积。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述位错密度在1.0×10⁵cm^-2以上、1.0×10⁷cm^-2以下。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述p型氮化物半导体具有5.0×10¹⁹cm^-3以上、5.0×10²⁰cm^-3以下的镁浓度。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述突起的截面形状为近正方形、近长方形、近圆或近椭圆。

6.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光元件，其中，

在俯视下，多个所述位错分散，

所述位错具有1.0×10⁵cm^-2以上、1.0×10⁷cm^-2以下的分散密度。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述平坦面具有26纳米以上、60纳米以下的厚度。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

还具备p型氮化物半导体层叠构造，

所述p型氮化物半导体层叠构造具备p型氮化物半导体电子阻挡层和p型氮化物半导体接触层，

所述p型氮化物半导体电子阻挡层被夹设在所述活性层和所述p型氮化物半导体接触层之间，

所述p型氮化物半导体接触层被夹设在所述p侧电极和所述p型氮化物半导体电子阻挡层之间，

所述p型氮化物半导体电子阻挡层是所述p型氮化物半导体层。

9.根据权利要求8所述的氮化物半导体发光元件，其中，

在所述p型氮化物半导体电子阻挡层和所述p型氮化物半导体接触层之间，夹设有其他的p型氮化物半导体层。

10.根据权利要求8所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述p型接触层具有5.0×10¹⁹cm^-3以上、5.0×10²⁰cm^-3以下的镁浓度，

并且，所述p型接触层具有26纳米以上、60纳米以下的厚度。

11.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其中，

所述p型氮化物半导体层，在靠近所述活性层的一侧具有Si掺杂层，

所述Si掺杂层具有10nm以上、100nm以下的厚度，

所述Si掺杂层具有1.0×10¹⁷cm^-3以上、6.0×10¹⁷cm^-3以下的硅浓度。