[发明专利]铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板的制造方法

权利要求书

1.一种微蚀刻剂，其为由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17～400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成之铜微蚀刻剂，

其中所述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物，

且在将所述含有胺基之化合物的浓度设为A重量%，所述聚合物的浓度设为B重量%时，A/B值为50～6000。

2.根据权利要求1所述的微蚀刻剂，其中，在将所述卤化物离子的浓度设为C重量%，所述聚合物的浓度设为B重量%时，C/B值为1500～15000。

3.根据权利要求1或2所述的微蚀刻剂，其中，在将所述铜离子的浓度设为D重量%，所述聚合物的浓度设为B重量%时，D/B值为1500～10000。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的微蚀刻剂，其中，所述聚合物的浓度为0.0001～0.01重量%。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的微蚀刻剂，其中，所述含有胺基之化合物为从氨、铵离子及乙二胺中所选出的1种以上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的微蚀刻剂，其中，所述聚合物为从四级铵盐型聚合物、聚乙烯亚胺及聚伸烷基聚胺中所选出的1种以上。

7.一种配线基板的制造方法，其为制造包含铜层之配线基板的配线基板的制造方法，

其具有让根据权利要求1至6中任一项所述的微蚀刻剂接触所述铜层的表面，使所述表面粗化之粗化处理步骤。

8.根据权利要求7所述的配线基板的制造方法，其中，在接触所述微蚀刻剂后，所述铜层的表面之L^*值为70以下。

9.根据权利要求7或8所述的配线基板的制造方法，其中，在粗化所述铜层的表面时，在深度方向的平均蚀刻量为0.05～1.0μm。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，在所述粗化处理步骤后，以酸性水溶液洗净经粗化之铜层的表面。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，所述粗化处理步骤为一边将由包含有机酸、卤化物离子、含有分子量为17～400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成之补给液添加至所述微蚀刻剂中，一边对所述铜层的表面进行粗化之步骤，

而所述补给液中的所述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物。

12.一种补充液，其为根据权利要求11所述的配线基板的制造方法中添加至所述微蚀刻剂之补给液，

其为由包含有机酸、卤化物离子、含有分子量为17～400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成，

而所述补给液中的所述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物。