[实用新型]一种薄膜封装系统有效
| 申请号： | 201320892034.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN203659835U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 封装 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜封装系统，其特征在于：包括工艺气体输入部分、沉积腔室（9）、ICP等离子体电源（5）和基片台（6），所述工艺气体输入部分包括分别与沉积腔室（9）连接的PECVD工艺气体输入部分和ALD工艺气体输入部分，所述基片台（6）设置在沉积腔室（9）内，所述ICP等离子体电源（5）设置在沉积腔室（9）顶部。
2.如权利要求1所述的薄膜封装系统，其特征在于：所述PECVD工艺气体输入部分包括前驱体的输入气路（1）、反应气体输入气路（2）、辅助气体输入气路（4），所述前驱体输入气路（1）和反应气体输入气路（2）都分别与沉积腔室（9）连接，所述辅助气体输入气路（4）与ICP等离子体电源（5）连接。
3.如权利要求1所述的薄膜封装系统，其特征在于，所述ALD工艺气体输入部分包括前驱体输入气路（1）、反应气体输入气路（2）、吹扫气体输入气路（3），所述前驱体输入气路（1）、反应气体输入气路（2）和吹扫气体输入气路（3）分别连接沉积腔室（9）。
4.如权利要求1所述的一种薄膜封装系统，其特征在于，所述基片台（6）为可加热基片台。
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