[实用新型]一种进气分配装置有效
申请号: | 201320884748.3 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN203866382U | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 兰云峰;任鑫;刘东 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C30B25/14 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 孟宪功 |
地址: | 100015 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分配 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域,尤其涉及一种进气分配装置。
背景技术
化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而可以制得固体材料。它是一种制备材料的气相生长方法,是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物及反应气体通入放置有基材的反应室中,借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。
化学气相沉积的反应腔室内为相对低温反应环境,其反应腔室内的温度通常为200℃-400℃。在上述条件下,各种工艺气体交替通入反应腔室中,其具有进气流量大、持续时间短等特点。根据工艺要求,为了防止气体温度过低从而对工艺产生不良影响,需要使气体进入腔室前达到一定的温度,因此在气体进入腔室前需要进行预热工作。
目前,化学气相沉积设备上的气路分配系统一般为洁净管焊接的管路,在有预热要求的管路上安装气体加热器,但是气体加热器大多距离腔室较远,气体散热快,进入腔室前温度降低较大,无明显预热效果,且一个气体加热器只能用于预热一路气体。一般,进入腔室的气体为载气携带反应气体,多路气体均需预热后再通入腔室。而如果每路都增加气体加热器不仅设备空间狭小,更增加设备成本。
另外,现有技术中一般在管路的拐弯处采用90°焊接的弯头,弯头内部对气体阻力较大,减小气体进入腔室的流速,使单位循环周期反应时间加长,影响设备生产效率。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型要解决的技术问题是解决如何满足向化学气相沉积反应腔室内进气时,多路气体预热的功能,以及解决一般管路内部气体阻力较大,从而会减小气体进入腔室的流速,影响设备生产效率的问题。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种进气分配装置,包括具有导热功能的集成块和用于为所述集成块加热的加热元件,所述集成块内设有多个所述流道,所述加热元件设置于所述集成块中,所述流道与气源端连接,且还与腔室连接。
其中,多个所述流道之间成一定间隔设置。
其中,多个所述流道中的一部分成一定间隔设置,另一部分成一定角度彼此连通,所述角度大于或等于90°且小于或等于180°。
其中,所述流道通过进口连接部件与气源端连接,所述流道通过出口连接部件与腔室连接。
其中,所述集成块上还安装有用于测量所述流道中的气体的温度的测温元件,所述测温元件通过止动螺钉固定安装在所述集成块上。
其中,所述测温元件连接有用于检测进入所述流道的气体的温度及控制所述加热元件开闭的控制系统,所述控制系统与所述加热元件连接。
(三)有益效果
本实用新型的上述技术方案具有以下有益效果:本实用新型的进气分配装置的主体结构为具有导热功能的集成块,集成块中设有一个或多个流道和用于为进入的气体加热的加热元件,流道与气源端连接,且还与腔室连接。本实用新型的进气分配装置通过加热元件加热有导热功能的集成块,从而使多路流体在进入反应腔室前能够达到预热温度,且显著减小了流道的管壁对流体的阻力,有效降低加热成本。
附图说明
图1为本实用新型实施例的进气分配装置的结构爆炸示意图;
图2为本实用新型实施例的集成块的轴测图;
图3为图2沿A-A向的剖视图;
图4为图2沿B-B向的剖视图;
图5为图2沿C-C向的剖视图。
其中,1:集成块;2:流道;3:封闭部件;4:出口连接部件;5:加热元件;6:测温元件;7:止动螺丝;8:进口连接部件;9:螺纹孔。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不能用来限制本实用新型的范围。
在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的