[实用新型]X频段低噪声放大器

权利要求书

1. 一种X频段低噪声放大器，其特征在于：包括一级低噪声放大电路、两级高增益放大电路，其中一级低噪声放大电路以及两级高增益放大电路采用晶体管放大器，第一级晶体管放大器、第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器分别对应低噪声放大电路、两级高增益放大电路，各级晶体管放大器通过中间级匹配电路依次级联，各级晶体管放大器分别包括晶体管、栅极偏置电路、漏极偏置电路，所述晶体管的栅极和漏极通过偏置电路与供电端连接，所述第一级晶体管放大器栅极到地串联有电感，其余各级晶体管放大器中的栅极直接接地；信号由输入匹配电路输入到第一级晶体管放大器后，通过级间匹配电路依次经过第二级晶体管放大器、第三级晶体管放大器最后由输出匹配电路输出。

2. 根据权利要求1所述的X频段低噪声放大器，其特征在于：第一级晶体管放大器的单指栅宽75μm，单胞有4指栅条，栅宽300μm；第二级晶体管放大器的单指栅宽80μm，单胞6指，总栅宽480μm；第三级晶体管放大器的单指栅宽100μm，单胞6指，总栅宽600μm，源漏间距3μm。

3. 根据权利要求1所述的X频段低噪声放大器，其特征在于：在MMIC电路中采取了集总和分布参数电路混合匹配，半导体材料选择GaAs，有源器件选择PHEMT，输入和输出端口匹配至50Ω，各模块之间用微带线进行连接。