[实用新型]发光二极管封装结构有效
申请号: | 201320876798.7 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN203774369U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 陈燕章 | 申请(专利权)人: | 深圳市力维登光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52;H01L33/60 |
代理公司: | 深圳市中联专利代理有限公司 44274 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉发光二极管封装技术领域,尤其涉及一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的发光二极管封装结构。
背景技术
随着LED(发光二极管)照明技术的不断发展,LED的生产规模在不断扩大,LED的封装技术是其在生产制造过程中的关键的一环。LED封装是指发光芯片的封装,相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯,而且还要能够透光。所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。
因此,亟需一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的发光二极管封装结构。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的发光二极管封装结构。
为了实现上述目的,本实用新型提供一种发光二极管封装结构,包括:金属基板、LED芯片及金属导线,所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔,所述凹腔的底部设置有锡金合金层,所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层,所述LED芯片设置在所述锡金合金层上,所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接,另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接,所述锡金合金层的厚度为0.25~0.3mm。
所述第一导热绝缘层的厚度为45~48nm。
所述导线层为金铝合金导线层,厚度为45~48nm。
所述第二导热绝缘层的厚度为48~55nm。
所述凹腔的腔壁上还设置有镍银合金反射膜层。
所述凹腔上还覆盖封装有光学透镜层。
所述凹腔的底部与腔壁的角度为120度。
与现有技术相比,本实用新型发光二极管封装结构中,由于设置有所述第二导热绝缘层,因此能够覆盖住所述导线层,能够防止所述导线层在长期的高温使用过程中,被氧化,而且直接将所述第二导热绝缘层覆盖于所述导线层上,因此能够提高寿命、减少成本、提高封装效率的发光二极管封装结构。
通过以下的描述并结合附图,本实用新型将变得更加清晰,这些附图用于解释本实用新型的实施例。
附图说明
图1为本实用新型发光二极管封装结构的剖面结构示意图。
具体实施方式
现在参考附图描述本实用新型的实施例,附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述,如图1所示,本实用新型提供的发光二极管封装结构100,包括:金属基板1、LED芯片2及金属导线3,所述金属基板1上开设用于放置LED芯片2的凹腔4,所述凹腔4的底部设置有锡金合金层5,所述金属基板1的上表面依次成型有第一导热绝缘层6、导线层7及第二导热绝缘层8,所述LED芯片2设置在所述锡金合金层5上,所述金属导线3一端与所述LED芯片2电性连接,另一端穿过所述第二导热绝缘层8与所述导线层7电性连接,所述锡金合金层5的厚度为0.25~0.3mm。
所述第一导热绝缘层6的厚度为45~48nm。
所述导线层7为金铝合金导线层,厚度为45~48nm。
所述第二导热绝缘层8的厚度为48~55nm。
所述凹腔4的腔壁上还设置有镍银合金反射膜层9。
所述凹腔4上还覆盖封装有光学透镜层10。
所述凹腔4的底部与腔壁的角度为120度。
结合图1,本实用新型发光二极管封装结构100,由于设置有所述第二导热绝缘层8,因此能够覆盖住所述导线层7,能够防止所述导线层7在长期的高温使用过程中,被氧化,而且直接将所述第二导热绝缘层8覆盖于所述导线层7上,因此能够提高寿命、减少成本、提高封装效率的发光二极管封装结构。
以上所揭露的仅为本实用新型的优选实施例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化,仍属本实用新型所涵盖的范围。
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