[实用新型]多晶片发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201320876776.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203774322U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈燕章 | 申请（专利权）人： | 深圳市力维登光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳市中联专利代理有限公司 44274 | 代理人： | 李俊 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，包括：金属基板、LED芯片及金属导线，所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部设置有铜基底层，所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，所述LED芯片设置在所述铜基底层上，相邻的两个所述LED芯片的间距为0.5～1mm，且相邻的两个所述LED芯片之间填充有金属铜，所述LED芯片上还覆盖有荧光粉层，所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接，另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接，所述铜基底层的厚度为0.25～0.3mm。
2.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一导热绝缘层的厚度为45～48nm。
3.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述导线层为金铝合金导线层，厚度为45～48nm。
4.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二导热绝缘层的厚度为48～55nm。
5.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述凹腔的腔壁上还设置有镍银合金反射膜层。
6.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述凹腔上还覆盖封装有光学透镜层。
7.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述凹腔的底部与腔壁的角度为120度。
8.如权利要求1所述的多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，所述金属导线为金线或金铝合金线。
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