[实用新型]阵列基板和显示装置有效
| 申请号: | 201320873862.6 | 申请日: | 2013-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN203644781U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
| 发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,该阵列基板包括多条数据线、多条栅线和多个氧化物薄膜晶体管,多条所述数据线与多条所述栅线互相交错,将所述阵列基板划分为多个像素单元,每个所述像素单元内均设置有所述氧化物薄膜晶体管,其特征在于,所述阵列基板还包括至少设置在所述数据线与所述栅线相交叠的部分的下方的氧化物层,该氧化物层的上表面与所述数据线的下表面相贴合。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在每个所述数据线与所述栅线的交叠处均设置有所述氧化物层,所述氧化物层的宽度与所述数据线的宽度相同,所述氧化物层的长度与所述栅线的宽度相同。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述氧化物层对应于整条所述数据线。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述氧化物层和所述氧化物薄膜晶体管的有源层由同种材料制成,所述氧化物薄膜晶体管的有源层上方设置有刻蚀阻挡层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述氧化物薄膜晶体管的源极和漏极位于所述氧化物薄膜晶体管的有源层的上方,且所述氧化物薄膜晶体管的源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述有源层相连,所述数据线穿过所述刻蚀阻挡层与所述氧化物层相贴合。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的有源层包括源极覆盖区、漏极覆盖区和位于所述源极覆盖区和所述漏极覆盖区之间的刻蚀阻挡层覆盖区,所述氧化物层包括位于所述有源层一侧且与所述源极覆盖区连续的的源极氧化物层和位于所述有源层另一侧且与所述漏极覆盖区连续的的漏极氧化物层,所述薄膜晶体管的源极的下表面的一部分与所述源极覆盖区贴合,另一部分与所述源极氧化物层贴合,所述薄膜晶体管的漏极的下表面的一部分与所述漏极覆盖区贴合,另一部分与所述漏极氧化物层贴合,所述刻蚀阻挡层的下表面与所述刻蚀阻挡层覆盖区贴合。
7.一种显示装置,该显示装置包括阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





