[实用新型]折射型反光焊带有效
申请号: | 201320871040.4 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN203707148U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 程中广 | 申请(专利权)人: | 无锡市斯威克科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0465 | 分类号: | H01L31/0465 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214142 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 折射 反光 | ||
1.一种折射型反光焊带,其特征在于:包括薄膜基体(1),所述薄膜基体(1)底部固定有粘贴薄膜层(2),薄膜基体(1)上部形成有均匀连续分布的凸起结构(3),所述凸起结构(3)横截面包含若干结构相同的重复单元,每个所述重复单元均为顶点竖直向上的等腰三角形,所述凸起结构(3)表面贴合设置有一层金属层(4),所述金属层(4)表面形成折射反光面(5)。
2.如权利要求1所述的折射型反光焊带,其特征在于:所述凸起结构(3)顶部呈圆弧过渡状,所述圆弧半径为0.001mm~0.01mm。
3.如权利要求1所述的折射型反光焊带,其特征在于:所述凸起结构(3)的顶角为30°~90°。
4.如权利要求1所述的折射型反光焊带,其特征在于:所述薄膜基体(1)的厚度为0.01mm~0.5mm,宽度为1mm~50mm。
5.如权利要求1所述的折射型反光焊带,其特征在于:所述粘贴薄膜层(2)的厚度为0.01mm~0.1mm。
6.如权利要求1所述的折射型反光焊带,其特征在于:所述金属层(4)的厚度为0.0001mm~0.05mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡市斯威克科技有限公司,未经无锡市斯威克科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320871040.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种WTS顶块
- 下一篇:MOSFET功率器件的终端结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的