[实用新型]一种IGBT串联均压电路有效
| 申请号： | 201320870874.3 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN203645319U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘新;申随章;申传飞 | 申请（专利权）人： | 天津正本自控系统有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H9/02 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 孙春玲 |
| 地址： | 300402 天津市北*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 串联 压电 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBT串联均压电路，其特征在于：由2个IGBT单元串联组成，每个IGBT单元包括驱动电路、IGBT和缓冲电路，所述驱动电路的C、G、E端分别与IGBT的集电极、栅极、发射极相连，用于驱动IGBT的导通与关断，所述缓冲电路的一端与IGBT的发射极相连，另一端与IGBT的集电极相连，驱动信号分别与2个IGBT单元中的驱动电路相连。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT串联均压电路，其特征在于：所述缓冲电路由瞬态抑制二极管与电阻串联后先与电容并联,然后与高压二极管的阴极相连组成,缓冲电路的瞬态抑制二极管的阳极与IGBT的发射极相连，高压二极管的阳极与IGBT的集电极相连。
3.根据权利要求2所述的一种IGBT串联均压电路，其特征在于：所述高压二极管的反向峰值电压要大于瞬态抑制二极管的最大钳位电压；瞬态抑制二极管的最大击穿电压要小于IGBT的Vce额定值。
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