[实用新型]对射型反光焊带有效
| 申请号： | 201320869957.0 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN203707154U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 程中广 | 申请（专利权）人： | 无锡市斯威克科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L31/054 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214142 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对射 反光 | ||
【权利要求书】：
1.一种对射型反光焊带，其特征在于：包括薄膜基体（1），所述薄膜基体（1）底面固定有粘贴薄膜层（2），薄膜基体（1）顶面具有与薄膜基体（1）一体连接且均布设置的若干凸起（5），每个所述凸起（5）均为正四棱锥体结构，在正四棱锥体凸起（5）表面及薄膜基体（1）上部平面上贴合设置一层金属层（3），所述金属层（3）表面形成对射反光面（4）。
2.如权利要求1所述的对射型反光焊带，其特征在于：所述薄膜基体（1）的厚度为0.01mm~0.5mm，宽度为1mm~50mm。
3.如权利要求1所述的对射型反光焊带，其特征在于：所述粘贴薄膜层（2）的厚度为0.01mm~0.1mm。
4.如权利要求1所述的对射型反光焊带，其特征在于：所述金属层（3）的厚度为0.0001mm~0.05mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
