[实用新型]一种高压电路版图设计结构

权利要求书

1.一种高压电路版图设计结构，其特征在于，包括： 

P型衬底； 

形成在所述P型衬底上的第一N型阱、第二N型阱和第三N型阱； 

形成在所述P型衬底上具有第一宽度的第一P型阱，所述第一P型阱形成在第一N型阱和第二N型阱之间，所述第一宽度取决于第一N型阱和第二N型阱间的穿通电压； 

形成在所述P型衬底上具有第二宽度的第二P型阱，所述第二P型阱形成在第二N型阱和第三N型阱之间，所述第二宽度取决于第二N型阱和第三N型阱间的穿通电压。 

2.如权利要求1所述的高压电路版图设计结构，其特征在于，其中每个N型阱经由N型掩埋层耦接至所述P型衬底。 

3.如权利要求1所述的高压电路版图设计结构，其特征在于，还包括： 

形成在第一N型阱上但不与第一N型阱直接连接的第一高板多晶硅电阻； 

形成在第二N型阱上但不与第二N型阱直接连接的第二高板多晶硅电阻；以及 

形成在第三N型阱上但不与第三N型阱直接连接的第三高板多晶硅电阻。 

4.如权利要求1所述的高压电路版图设计结构，其特征在于，还包括： 

邻近第一N型阱的N型漂移区； 

附着于所述N型漂移区的N型阱；以及 

一系列设置在第一N型阱和漂移区的边沿的重掺杂N型区、接触点以及第一金属层。 

5.如权利要求1所述的高压电路版图设计结构，其特征在于，还包括： 

形成在第一N型阱内的第三P型阱和第四N型阱。 

6.如权利要求1所述的高压电路版图设计结构，其特征在于，还包括： 

与第一N型阱和第二N型阱接触的金属层，以形成第一肖特基二极管和第二肖特基二极管。 

7.如权利要求1所述的高压电路版图设计结构，其特征在于，其中第三N型阱被第二N型阱环绕。 

8.如权利要求1所述的高压电路版图设计结构，其特征在于，其中第二N型阱和第三N型阱形成在第一N型阱内。 

9.如权利要求1所述的高压电路版图设计结构，其特征在于，还包括： 

形成在第二N型阱上的焊盘入口。 

10.如权利要求1所述的高压电路版图设计结构，其特征在于，其中所述第一P型阱具有耦接至第一肖特基二极管阳极和第二肖特基二极管阳极的的重掺杂P型区。