[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及设有该阵列基板的显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）已在平板显示领域中占据了主导地位。现在的TFT-LCD中越来越多的采用阵列基板行驱动（Gate driver On Array，GOA）技术，即在阵列基板的板边划分GOA区域，在GOA区域中将栅极金属与源漏极金属通过贯穿栅绝缘层和有源层的过孔电连接，作为栅极驱动电路的一部分，以实现更高的像素密集度（Pixel Per Inch，PPI）。同时，为了节省阵列基板制造过程中掩膜版的使用次数，通常利用一次掩膜版工艺在GOA区域形成贯穿栅绝缘层和有源层的过孔。例如，在高级超维场转换（Advanced super Dimension Switch，ADS）型阵列基板的制造过程中，利用一次掩膜版工艺在GOA区域刻蚀有源层和栅绝缘层，形成过孔，就可以只通过六次掩膜版工艺形成阵列基板。

本实用新型人在实现本实用新型的过程中发现，现有技术至少存在以下问题：如图1a所示，图中衬底基板1的左半部分为GOA区域，右半部分为显示区域，在GOA区域的衬底基板1上形成有栅极金属21、栅绝缘层3和有源层4，在栅绝缘层3和有源层4上刻蚀形成过孔5之后，还需要利用光刻胶10刻蚀掉除显示区域中的薄膜晶体管（TFT）区域之外的有源层4。但是刻蚀有源层4的同时，栅极金属21也会被刻蚀，最后会形成贯穿栅绝缘层3和栅极金属21的过孔5，如图1b所示，这将使后续沉积的源漏极金属只能与栅极金属的侧面接触，由于源漏极金属与栅极金属之间的接触面积太小，导致GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性较差的技术问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种阵列基板及设有该阵列基板的显示装置，解决了现有技术中由于GOA区域的源漏极金属与栅极金属之间的接触面积太小，导致源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性较差的技术问题。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本实用新型提供一种阵列基板，包括显示区域和GOA区域，在所述GOA区域，从下至上依次包括栅极金属、栅绝缘层和源漏极金属，所述栅绝缘层上形成有缺口，所述栅极金属上形成有过孔，且所述过孔位于所述缺口的范围之内；

所述源漏极金属在所述缺口中与所述栅极金属的上表面电连接。

进一步，所述显示区域中的TFT区域，从下至上依次包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；

所述源极和所述漏极分别位于所述有源层的两侧，并与所述有源层连接。

本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

与现有技术相比，本实用新型所提供的上述技术方案具有如下优点：在GOA区域的栅绝缘层上形成了面积较大的缺口，并且使栅极金属上形成的过孔位于该缺口的范围之内，那么在缺口中除过孔以外的部分就会露出栅极金属的上表面，因此后续沉积的源漏极金属就能够在缺口中与栅极金属露出的上表面接触，从而显著增大了源漏极金属与栅极金属之间的接触面积，提高了GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1a和1b为现有的阵列基板的示意图；

图2为本实用新型的实施例所提供的阵列基板的示意图；

图3a至图3j为本实用新型的实施例所提供的阵列基板的制造方法的制造过程示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。

如图2所示，本实用新型实施例所提供的阵列基板包括显示区域和GOA区域。在GOA区域，从下至上依次包括形成于衬底基板1上的栅极金属21、栅绝缘层3和源漏极金属61，栅绝缘层3上形成有缺口30，栅极金属21上形成有过孔5，且过孔位5于缺口30的范围之内，源漏极金属61在缺口30中与栅极金属21的上表面电连接。