[实用新型]半导体叠层封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种半导体叠层封装结构。 

背景技术

POP（Package on Package叠层装配）技术的出现模糊了一级封装与二级装配之间的界线，在大大提高逻辑运算功能和存储空间的同时，也为终端用户提供了自由选择器件组合的可能，生产成本也得以更有效的控制。 

在POP结构中，记忆芯片通常以键合方式连接于基板，而应用处理器芯片以倒装方式连接于基板，记忆芯片封装体是直接叠在应用处理器封装体上，相互往往以锡球焊接连接。这样上下结构以减少两个芯片的互连距离来达到节省空间和获得较好的信号完整性。由于记忆芯片与逻辑芯片的连接趋于更高密度，传统封装的POP结构已经很有局限，在进行传统封装过程中，常常会遇到封装体翘曲等问题。 

实用新型内容

在下文中给出关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。 

本实用新型提供一种半导体叠层封装结构，至少包括叠层设计的上封装体和封装有芯片的下封装体，所述封装有芯片的下封装体包括：基板、金属凸点、芯片、塑封体和焊球；所述金属凸点形成于所述基板上表面，用于连接上封装体和下封装体；所述芯片通过倒装方式连接在所述基板上表面，所述塑封体包覆所述芯片和金属凸点，并且露出所述芯片的顶部；所述焊球设置在所述基板下表面。 

本实用新型提供的半导体叠层封装结构，通过在基板上形成金属凸点实现互联，解除了现有封装技术中锡球互联的体积等限制；下封装体的芯片采用模塑底部填充技术固定芯片，减少了传统叠层封装中封装体翘曲的问题；同时，通过对塑封体的打磨将整个封装体的厚度减小了，金属凸点的高度也减小了，封装更加节省空间，具有较高的密度。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本实用新型叠层封装结构示意图。 

附图标记： 

1-基板；      2-金属凸点；   3-芯片； 

4-塑封体；    5-焊球；       6-上封装体。 

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本实用新型无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。 

图1为本实用新型提供的一种半导体叠层封装结构的示意图，如图1所示，所述结构至少包括叠层设置的上封装体和封装有芯片的下封装 体，所述封装有芯片的下封装体包括：基板1、金属凸点2、芯片3、塑封体4和焊球5；所述金属凸点2形成于所述基板1上表面，用于连接上封装体和下封装体；所述芯片3通过倒装方式连接在所述基板上表面，所述塑封体4包覆所述芯片3和金属凸点2，并且露出所述芯片的顶部；所述焊球5设置在所述基板下表面。 

首先提供基板，在基板上表面形成金属凸点，将芯片通过倒装方式连接在基板上表面，与下封装体形成电互通。 

可选的，凸点材料为具有高导电和高熔点的金属材料，如铜等，例如，金属凸点可为铜柱，铜柱的高度不必很高，低于塑封体顶部或者芯片顶部，可以根据实际情况的需要进行上下调整。本实施例中，金属凸点2的高度低于所述芯片3的厚度。 

在基板上表面形成金属凸点实现互联，解除了现有封装技术中锡球互联的体积等限制，同时，使用铜柱作为金属凸点相对于锡球有更好的电性能。