[实用新型]多色透光薄膜太阳能电池组件有效
| 申请号: | 201320849556.9 | 申请日: | 2013-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN203746883U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
| 发明(设计)人: | 钟书群;韩美英;李廷凯;夏欧亚;谢喜顺 | 申请(专利权)人: | 湖南共创光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078 |
| 代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
| 地址: | 421001 湖南省衡*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多色 透光 薄膜 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池领域,具有涉及一种硅基薄膜太阳能电池组件以及透光和半透光组件的结构。
背景技术
目前市面上透光薄膜太阳能电池组件大多采用绿激光或红外激光进行横向划刻(即垂直于P1/P2/P3划线方向),以去除硅层和背电极层来达到透光目的。但该种制造方法样式单一,且多次划刻破坏电池结构,同时造成短路等影响,导致电池功率损失远大于蚀刻面积。存在多种弊端。所述P1为激光第一次划刻,P2为激光第二次划刻,P3为激光第三次划刻。
传统透光电池前段制造工艺:预清洗—透明氧化前电极—第一次激光划刻—高级清洗—PECVD—第二次激光划刻—透明氧化背电极—第三次激光划刻—第四次激光划刻—完成。传统透光线垂直于P1/P2/P3划线方向划刻,容易在与P1/P2/P3交错的地方形成电池短路,影响组件的光学性能,降低功率。第四次划刻线与P1/P2/P3交错的地方容易形成电池短路。从而影响组件的性能表现。
传统P1/P2/P3划线只是为了将电池组件分割成一个个的小电池区域,没有考虑到电池的有效发电区域和死区,传统的P1/P2/P3划线往往不区分有效区和死区进行划刻,容易破坏电池结构,造成电池效率降低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:针对现有的传统技术问题,提出一种新型的透光太阳能电池组件。该薄膜太阳能电池组件可利用不同的电池结构(薄膜光电转化层)制备出不同颜色的透明和半透明的电池组件;也可以由彩色的PVB(中文全称聚乙烯醇缩丁醛)来实现多色的效果。其中透光主要是采用多条P2重叠平行划刻的P2刻蚀区来实现。该方法可制备出转化效率更高,更美观的多色透光型太阳能电池。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:
一种多色透光薄膜太阳能电池组件,该电池组件在水平方向上包括多个有效区和位于任意相邻两个有效区之间的死区;该电池组件在垂直方向上从下至上依次为前板透光衬底层、第一层透明导电氧化物层、薄膜光电转化层、第二层透明导电氧化物层、封装层、和背板透光衬底层;在第一层透明导电氧化物层上有P1刻蚀区、在薄膜光电转化层上有P2刻蚀区、在薄膜光电转化层和第二层透明导电氧化物层上有P3刻蚀区,且P2刻蚀区位于P1刻蚀区和P3刻蚀区之间;所述P1刻蚀区、P2刻蚀区和P3刻蚀区均位于所述死区的区域内,且多个P2刻蚀区在水平方向上的总宽度是所述电池组件在水平方向上的宽度与所述电池组件的透光度之积。
所述P2刻蚀区与P1刻蚀区和P3刻蚀区之间的间距分别优选为50μm-150μm。
所述封装层优选为聚乙烯醇缩丁醛层。
所述薄膜光电转化层选自非晶硅单结薄膜电池层,非晶硅/非晶硅双结薄膜电池层,非晶硅/非晶锗化硅双结薄膜电池层,非晶硅/微晶硅双结薄膜电 池层、非晶硅/非晶锗化硅/微晶硅三结薄膜电池层,铜铟镓硒电池层、碲化镉电池层中的任意一种,所述“/”表示两层之间的界面。
所述前板透光衬底层(a)和背板透光衬底层(f)均优选为钢化玻璃层。
与现有技术相比,本实用新型的优势是:
1、本申请的多色透光薄膜太阳能电池组件通过P2刻蚀区,增加P2刻蚀区的宽度来提高透光率。
2、本申请的多色透光薄膜太阳能电池组件通过改变封装层的材料或者是薄膜光电转化层的材料来实现多色或者彩色,电池更美观。
3、本申请的P1/P2/P3划线全部在电池死区内进行,不破坏电池结构,有效利用了有效区,电池效率高。
附图说明
图1是整个多色透光薄膜太阳能电池组件的俯视平面图,图中I是非透明区域,II是透明区域;
图2描述的是图1所述多色透光薄膜太阳能电池组件的局部剖面图,P2区域为透光区域,向上的箭头代表光透过的方向;
图3是多色透光薄膜太阳能电池组件的制备工艺流程图。
图4是透光薄膜太阳能电池组件的电性能图。
其中a为前板透光衬底层,b为第一层透明导电氧化物层、c为薄膜光电转化层,d为第二层透明导电氧化物层,e为封装层,f为背板透光衬底层,1为P1刻蚀区,2为P2刻蚀区,3为P3刻蚀区,P1为激光第一次划刻,P2为激光第二次划刻,P3为激光第三次划刻,h为有效区,g为死区。P1与P2,P3与P2的位置(间距)受设备精确度限制,一般情况下为50-150um。
具体实施方式
下面根据表示本实用新型实施方式的附图具体描述本实用新型的实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





