[实用新型]半导体晶片蚀刻辅助装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体晶片的加工装置，具体是一种半导体晶片蚀刻辅助装置。

背景技术

目前，半导体制造领域普遍采用在晶片表面形成薄膜，通过等离子体的化学气相沉积来进行蚀刻，进而刻画出所需的图形。

为了确保产能，一次要处理多片晶片产品，以往的半导体晶片蚀刻辅助装置是直径为320mm的圆盘，采用小尺寸的蓝宝石衬底，如图1所示，这种传统半导体晶片蚀刻辅助装置包括下盘2，在下盘2上设有多个具有一定深度的晶片放置凹孔1，在晶片放置凹孔1上放置晶片3，然后将上盘6扣压在下盘2上，通过多个螺栓42和连接孔7将下盘2和上盘6进行紧固；在上盘6上设有与晶片放置凹孔1一一对应的上盘通孔8，在上盘通孔8的内侧，朝向上盘通孔8的中心方向均匀设有多个顶压式防移动装置5，该顶压式防移动装置5在下盘2和上盘6结合时，将顶压住晶片放置凹孔1中的晶片3，以达到防止晶片3移动的目的。进而将结合好的下盘2和上盘6放入设备内对晶片3进行蚀刻加工。

上述现有技术的半导体晶片蚀刻辅助装置存在以下问题：

1）下盘2和上盘6若要紧密连接需要很多数量的螺栓42，作业完毕后需要拆开下盘2和上盘6，拆卸螺栓42，再分解下盘2和上盘6，整体作业时间会较长，而导致作业效率低下；

2）使用螺栓42对下盘2和上盘6进行紧固会带来污染物质，因此导致产品出现次品的概率增大，产品合格率受到影响；

3）使用螺栓42固定下盘2和上盘6时，都需要拧动螺栓42的动作，由于力道的差异，将会使得晶片3的受力均衡性较差，在后续蚀刻过程中极易导致问题产品的出现；

4）顶压式防移动装置5直接接触晶片3的上表面中的一部分，在后续蚀刻过程中，顶压式防移动装置5会损伤到与晶片3的接触部位，将会形成没有图形的区域，该区域如果较大的话就将导致问题产品的出现。

实用新型内容

针对上述现有技术问题，本实用新型提供一种半导体晶片蚀刻辅助装置，能够完全避免现有技术问题存在的缺陷，显著缩短作业时间，提高作业效率和产品合格率。

为了实现上述目的，本半导体晶片蚀刻辅助装置包括下盘和设置在下盘上的多个晶片放置凹孔；

还包括在所述下盘上的多个晶片放置凹孔的底部边缘开设的防移动卡槽，以及用于固定晶片的盖状装置；

所述盖状装置的上表面直径小于所述盖状装置主体的直径，并在所述盖状装置的上表面边缘处开设有拆分凹槽，在所述盖状装置的底部边缘处安装有密封部，在所述盖状装置上开设有多个导气孔。

进一步，所述防移动卡槽为阶梯式结构。

进一步，所述密封部为密封圈。

与现有技术相比，本半导体晶片蚀刻辅助装置将现有的上、下盘拼接式的半导体晶片蚀刻辅助装置改造为单孔盖状装置对晶片进行固定，采用在晶片放置凹孔的底部边缘开设的防移动卡槽，以及在盖状装置上设置密封部、拆分凹槽和导气孔的方式，在保证晶片蚀刻稳定性和密封性的同时，显著缩短了对晶片进行蚀刻的作业时间，有效提高了作业效率和产品合格率。

附图说明

图1是现有技术的结构示意图；

图2是本实用新型的安装结构示意图；

图3是单孔安装状态放大示意图；

图4是盖状装置放大示意图。

图中：1、晶片放置凹孔，2、下盘，3、晶片，4、盖状装置，5、顶压式防移动装置，6、上盘，7、连接孔，8、上盘通孔，40、防移动卡槽，41、密封部，42、螺栓，43、导气孔，44、拆分凹槽。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明。

如图2、图3和图4所示，本半导体晶片蚀刻辅助装置包括下盘2和设置在下盘2上的多个晶片放置凹孔1；

还包括在所述下盘2上的多个晶片放置凹孔1的底部边缘开设的防移动卡槽40，以及用于固定晶片3的盖状装置4；

所述盖状装置4的上表面直径小于所述盖状装置4主体的直径，并在所述盖状装置4的上表面边缘处开设有拆分凹槽44，在所述盖状装置4的底部边缘处安装有密封部41，在所述盖状装置4上开设有多个导气孔43。

进一步，所述防移动卡槽40为阶梯式结构，原理与按扣相似，能够将晶片3和密封部41卡紧，有效地防止了晶片3在蚀刻过程中发生移动的现象，保证了晶片3的蚀刻质量。

进一步，所述密封部41为密封圈，简单实用，能够有效起到密封的作用，防止晶片3与防移动卡槽40之间的间隙出现气体泄漏。