[实用新型]LED驱动电路结构有效
申请号: | 201320849198.1 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN203851319U | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 冯向光;孙国喜;刘国旭 | 申请(专利权)人: | 易美芯光(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | led 驱动 电路 结构 | ||
1.一种LED驱动电路结构,其特征在于,包括整流桥模块、IC驱动模块和LED光源,其中,
所述整流桥模块与交流电源相连,用于将交流电转换为直流电输送至IC驱动模块;
所述IC驱动模块与整流桥模块和LED光源相连,用于为所述LED光源供电并控制所述LED光源的开关;所述IC驱动模块包括控制电路和控制LED光源的开关管;所述控制电路集成在一个芯片上;所述开关管外置。
2.如权利要求1所述的一种LED驱动电路结构,其特征在于:
所述开关管是分离器件或集成在另外一个单独的芯片上,或者几个管芯封装在一个package里面。
3.如权利要求1或2所述的LED驱动电路结构,其特征在于:
所述开关管为若干MOS管。
4.如权利要求3所述的LED驱动电路结构,其特征在于:所述MOS管之间为串联结构;所述MOS管的源端接入控制电路作为High-Side电路的高电平参考以产生相应的栅极电压。
5.如权利要求4所述的LED驱动电路结构,其特征在于:
所述MOS管之间为并联结构;所述MOS管的源端接入控制电路作为High-Side电路的高电平参考以产生相应的栅极电压。
6.如权利要求5所述的LED驱动电路结构,其特征在于:所述LED光源为2串以上;
所述每串LED光源所含的LED的数量相同或者不相同。
7.如权利要求6所述的LED驱动电路结构,其特征在于:
所述MOS管为两个,分别为第一MOS管和第二MOS管;所述LED光源为相互串联的2串,分别为第一LED光源串和第二LED光源串;
所述第一MOS管的漏极连接所述第二MOS管的栅极;所述第一MOS管的源极接地;所述第一MOS管的栅极连接所述控制电路;
所述第二MOS管的漏极连接所述第二LED光源串的正极;所述第二MOS管的源极连接所述第二LED光源串的负极;
所述第一MOS管和第二MOS管之间还连接有上拉电阻和比较器;所述上拉电阻一端连接所述第一MOS管的漏极,另一端连接第一LED光源串的正极;所述比较器分别连接所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的源极和所述控制电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于易美芯光(北京)科技有限公司,未经易美芯光(北京)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320849198.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于流体薄膜罐装机的热熔切断机构
- 下一篇:一种重型设备吊运装置