[实用新型]一种LED背光驱动电路及液晶电视机

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种LED背光驱动电路及液晶电视机。

背景技术

在现在的LCD背光驱动中，LED驱动集成电路（LED Driver integrated circuit）一般都需要侦测Light Bar负端的电压，但是背光在PWM（Pulse Width Modulation，脉冲宽带调制）调光时或者3D时，背光源Light Bar负端的电压一般都比较大，一般都在30~50V，如果输出电压很高，那么Light Bar的负端的电压甚至可能达到七八十伏，但是一般的LED Driver IC的侦测Pin的耐压值一般都为30V~40V，所以一般都是在Light Bar负端增加一颗隔离场效应晶体管MOS，使其在Light Bar负端电压大时（如图1所示为12V），关闭MOS，防止损坏IC。

现有技术存在如下缺陷：

现有技术中Light Bar的电流都要流过金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管MOS，这时就要选择一颗大封装的MOS，防止MOS过热，同时也会降低效率，并且MOS上的损耗增加。

实用新型内容

本实用新型提供一种LED背光驱动电路及液晶电视机，所述LED背光驱动电路包括：背光源负端、驱动IC，双极结型晶体管BJT，场效应晶体管MOS，电阻；所述驱动IC的控制输出端与所述场效应晶体管MOS的源极连接；所述场效应晶体管MOS的栅极连接关断参考电压，其漏极与所述双极结型晶体管BJT的基极连接；所述BJT的发射极与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经所述电阻接地；所述BJT的集电极与背光源负端连接。

其中，所述双极结型晶体管BJT管为PNP型晶体管。

其中，所述场效应晶体管MOS为N沟道MOS管。

其中，所述关断参考电压为12V。

其中，所述电阻为并联的第一电阻和第二电阻。

本实用新型还提供一种液晶电视机，包括：背光源负端、驱动IC，双极结型晶体管BJT，场效应晶体管MOS，电阻；所述驱动IC的控制输出端与所述场效应晶体管MOS的源极连接；所述场效应晶体管MOS的栅极连接关断参考电压，其漏极与所述双极结型晶体管BJT的基极连接；所述BJT的发射极与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经所述电阻接地；所述BJT的集电极与背光源负端连接。

其中，所述双极结型晶体管BJT管为PNP型晶体管。

其中，所述场效应晶体管MOS为N沟道MOS管。

其中，所述关断参考电压为12V。

其中，所述电阻为并联的第一电阻和第二电阻。

实施本实用新型，在BJT的B极与驱动IC之间设置一隔离MOS，正常工作时不会影响反馈电压导通至IC，且在调光过程中，背光模组BLU关闭阶段，背光源负端VLED-的电压会比较高，这时通过双极结型晶体管BJT管中PN节导通至MOS管，使MOS管关闭，即可防止VLED-端的高压将驱动IC击穿。同时，由于MOS设置在BJT的基极（B极），流过此极的电流极小，因此可以不用考虑其在MOS上的损耗，即使选用一颗较小封装的MOS，也可以降低在板端的损耗，提高效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型LED背光驱动电路的电路示意图。

具体实施方式

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种LED背光驱动电路，包括背光源负端、驱动IC，双极结型晶体管BJT，场效应晶体管MOS，电阻；所述驱动IC的控制输出端与所述场效应晶体管MOS的源极连接；所述场效应晶体管MOS的栅极连接关断参考电压，其漏极与所述双极结型晶体管BJT的基极连接；所述BJT的发射极与所述驱动IC的反馈输入端连接，且经所述电阻接地；所述BJT的集电极与背光源负端连接。

在具体实现中，所述关断参考电压为12V，此处仅为举例。另外，与BJT的发射极连接的电阻具体为第一电阻R1和第二电阻R2。具体的，参见图1，其是本实用新型LED背光驱动电路的具体电路示意图，下面结合图1及具体实施例详细说明本实用新型的技术方案。