[实用新型]太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电池，尤其是一种太阳能电池。

背景技术

随着光伏组件大规模使用，特别是一些大型光伏电厂运营三四年后，业界对光伏组件的电位诱发衰减（PID，Potential Induced Degradation）效应的关注越来越多。一些国家和地区已逐步开始把抗PID作为组件的关键要求之一。这样的趋势使得越来越多的光伏电站、光伏电池和组件厂、测试单位和材料供应商对PID效应的研究越来越关注。

太阳能电池通常是采用聚乙烯醋酸乙烯酯(EVA)作为封装材料；为减轻PID效应，现有技术中，有更换封装材料，而采用比EVA阻抗更高的其他封裝材料来实现；然而，这样的方法却容易增加太阳能电池的总体成本。

实用新型内容

鉴于上述状况，有必要提供一种可以提高电池效率且成本较低的太阳能电池。

一种太阳能电池，包括基底、掺杂射极层、复合抗反射层、第一电极、第二电极、第三电极及背面电场层，该基底具有第一表面及与第一表面相对的第二表面，该第一表面为入光面，该掺杂射极层包括多个凸起且位于该第一表面，该复合抗反射层有多层膜层复核而成且位于该掺杂射极层上，该第一电极位于该第一表面侧，该第二电极及第三电极位于该第二表面侧，该第二电极为汇流电极、该第三电极为背面电极，该背面电场层位于该第二表面且与该第三电极相电耦合。

该复合抗反射层的折射率为2.01～2.11。

该复合抗反射层包括第一膜层、第二膜层及第三膜层，该第一膜层与掺杂射极层相接触且为离子扩散阻挡层，该第二膜层及该第三膜层位于该第一膜层上方，且该第二膜层位于该第一膜层与该第三膜层之间。

该第一膜层的厚度分别小于该第二膜层及该第三膜层的厚度。

该第一膜层的厚度为5-50nm，该第二膜层的厚度为50-80nm，该第三膜层的厚度为50-150nm。

该基底为P型掺杂硅晶圆，该掺杂射极层为N+掺杂射极层。

上述太阳能电池包括复合抗反射层以及背面电场层，使得PID效应可被减缓甚至消除，从而可提升太阳能电池的效率。此外，上述太阳能电池的制备方法制备的太阳能电池，可不需要改变EVA封装材料，也不用增加生产步骤及流程，即可通过达到PID测试的要求，因此还可使成本较低。

附图说明

图1-5，7及8是本实用新型实施例的太阳能电池制备方法中各阶段的示意图。

图6本实用新型实施例的太阳能电池的复合抗反射层的放大示意图。

具体实施方式

下面将结合附图及实施例对本实用新型的太阳能电池的制备方法作进一步的详细说明。

本实用新型实施例的太阳能电池的制备方法包括以下步骤。

请参见图1，首先是在基底11的第一表面112上形成多个凸起114。详细来说，基底11可为P型掺杂硅晶圆，其具有第一表面112及与第一表面112相对的第二表面116。第一表面112为入光面，第二表面116可为背光面，在形成多个凸起114之前，可先对基底11的第一表面112进行清洁处理。凸起114可为横截面为三角形的柱形凸起。

请参见图2，接着，在基底11的第一表面112上形成磷玻璃层12以覆盖凸起114。

请参见图3，接着，使用扩散方法，使凸起114形成掺杂射极层13。具体来说，扩散方法例如是以炉管制程，使物质扩散进入凸起114内而形成掺杂射极层13，例如形成N⁺掺杂射极层。

请参见图4，接着，移除磷玻璃层12。具体来说，可以以蚀刻的方法，例如使用湿蚀刻或干蚀刻，进行边缘绝缘并去除磷玻璃层12。