[实用新型]适用于电动汽车逆变器的IGBT模块有效

专利信息
申请号: 201320842041.6 申请日: 2013-12-19
公开(公告)号: CN203760452U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 张兴春;王向炜;孙辉 申请(专利权)人: 联合汽车电子有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/367
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 适用于 电动汽车 逆变器 igbt 模块
【权利要求书】:

1.一种适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,其特征在于,所述IGBT模块为含有至少一块IGBT芯片的单IGBT模块,所述IGBT芯片的集电极均与一个第一铜块焊接,发射极都通过一个第二铜块引出,其它控制极通过绑定线引出,所述第一铜块的厚度超过IGBT芯片的短边长度,所述第二铜块与一个第三铜块连接。

2.根据权利要求1所述的适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,其特征在于,所述第一铜块的厚度为8mm~20mm,所述第二铜块的厚度为2mm~5mm,所述第三铜块的厚度为第一铜块与第二铜块的厚度差。

3.根据权利要求1所述的适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,其特征在于,所述第二铜块通过一导热缓冲层与第三铜块连接,且IGBT芯片的发射极与第三铜块电气连接,所述导热缓冲层采用柔性材料。

4.根据权利要求1所述的适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,其特征在于,所述第二铜块通过一导热导电缓冲层与第三铜块连接,所述导热导电缓冲层采用导电的柔性材料。

5.一种适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,其特征在于,

所述IGBT模块为包括上半桥IGBT和下半桥IGBT的半桥IGBT模块,所述上半桥IGBT和下半桥IGBT包括数量相同的IGBT芯片;

所述上半桥IGBT的所有IGBT芯片的集电极均与一个第一铜块焊接,所述第一铜块的厚度超过IGBT芯片的短边长度,所有IGBT芯片的发射极均通过一个第二铜块引出,其它控制极通过绑定线引出;

所述下半桥IGBT的所有IGBT芯片的集电极均与另一个第一铜块焊接,所述第一铜块的厚度超过IGBT芯片的短边长度,所有IGBT芯片的发射极均通过另一个第二铜块引出,其它控制极通过绑定线引出;

上半桥IGBT的发射极与下半桥IGBT的集电极连接,下半桥IGBT的发射极与一个第三铜块连接。

6.根据权利要求5所述的适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,其特征在于,与上半桥IGBT发射极焊接在一起的第二铜块和与下半桥IGBT集电极焊接在一起的第一铜块通过导热缓冲层连接,与下半桥IGBT发射极焊接在一起的第二铜块通过导热缓冲层与第三铜块连接,所述导热缓冲层采用柔性材料。

7.根据权利要求5所述的适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,其特征在于,与上半桥IGBT发射极焊接在一起的第二铜块和与下半桥IGBT集电极焊接在一起的第一铜块通过导热导电缓冲层连接,与下半桥IGBT发射极焊接在一起的第二铜块通过导热导电缓冲层与第三铜块连接,所述导热导电缓冲层采用导电的柔性材料。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的适用于电动汽车逆变器的IGBT模块,其特征在于,所述第一铜块的厚度为8mm~20mm,所述第二铜块的厚度为2mm~5mm,所述第三铜块的厚度为第一铜块与第二铜块的厚度差。

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