[实用新型]具有一维光子晶体结构的发光二极管有效
| 申请号： | 201320836442.0 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN203631587U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李珅;李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;范胜华 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/44 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 光子 晶体结构 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有一维光子晶体结构的发光二极管，包括衬底层（200）；位于衬底层（200）上表面的N型层（201），所述N型层（201）上设有凸台；位于N型层（201）凸台上表面的发光层（202），位于凸台右侧的N型层（201）上表面的N电极（207）；位于发光层（202）上表面的P型层（203），其特征在于：所述P型层（203）的上表面设有具有一维光子晶体结构的电流阻挡层（204），电流扩展层（205）位于P型层（203）和具有一维光子晶体结构的电流阻挡层（204）的上表面，P电极（206）位于电流阻挡层上侧的电流扩展层（205）的上表面。
2.根据权利要求1所述的具有一维光子晶体结构的发光二极管，其特征在于：所述具有一维光子晶体结构的电流阻挡层（204）为柱状阵列结构，使用SiO2材料，厚度220nm，柱状结构直径为2um，柱状结构与柱状结构的间距2um。
3.根据权利要求1所述的具有一维光子晶体结构的发光二极管，其特征在于：所述电流扩展层（205）使用ITO材料，其厚度为70-90um。
4.根据权利要求1所述的具有一维光子晶体结构的发光二极管，其特征在于：所述电极使用Cr、Pt或Au，其厚度为25nm-1500nm。
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