[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 

第一阱，嵌入在半导体衬底中； 

第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；以及 

分离结构，嵌入在所述半导体衬底中，将所述第一阱和所述第二阱分离，使得所述第一阱和所述第二阱彼此不接触。 

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分离结构包括分离阱，所述分离阱包括将所述第一阱和所述第二阱分离的侧壁。 

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阱包括源极区并且所述第二阱包括漏极区；并且其中，所述半导体器件还包括被设置在所述源极区和所述漏极区之间的栅极区。 

4.根据权利要求2所述的半导体器件， 

其中，所述第一阱被注入有第一导电类型的材料；以及 

其中，所述第二阱和所述分离阱被注入有第二导电类型的材料，所述第一导电类型为p型并且所述第二导电类型为n型，并且其中，所述分离结构具有大于所述第一阱和所述第二阱的深度的深度。 

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述分离结构包括深N阱，所述深N阱的n型材料浓度低于所述第二阱的n型材料浓度，其中，所述侧壁具有大于或等于0.2μm的厚度。 

6.一种半导体器件，其特征在于，包括： 

第一阱，被嵌入到半导体衬底中并且包括源极区； 

第二阱，在所述半导体衬底的上方并且包括漏极区； 

栅极区，被设置在所述源极区和所述漏极区之间并且具有栅极长度；以及 

分离壁，将所述第一阱和所述第二阱分离，所述分离壁具有壁厚度， 

其中，所述第一阱和所述第二阱之间的距离大于或等于所述壁厚度并小于所述栅极长度。 

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括深度大于所述第一阱和所述第二阱的深度的深N阱，所述深N阱包括所述分离壁。 

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二阱包括浅沟槽隔离(STI)区域，并且所述第一阱和所述浅沟槽隔离区域之间的距离大于或等于0.4μm。 

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述深N阱的n型材料浓度低于所述第二阱的n型材料浓度，其中，所述栅极长度大于或等于0.6μm，所述壁厚度大于或等于0.2μm。 

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一阱包括两个分离的浅沟槽隔离区域，其中，所述浅沟槽隔离区域部分被设置在所述第二阱中并且部分被设置在所述深N阱中。