[实用新型]外延温度测试监控结构

权利要求书

1.一种外延温度测试监控结构，其特征在于，包括:

一半导体衬底；

监控窗口，由所述半导体衬底的表面形成，所述监控窗口具有特征尺寸大小分别相等的第二开口和用于间隔所述第二开口的第二间距区，所述第二间距区与所述第二开口的表面具有台阶差；

测试结构，采用外延工艺在所述监控窗口上形成，所述测试结构具有第三开口和位于所述第三开口间的第三间距区，所述第三开口和第三间距区的图形数据为沿外延畸变的方向的数据。

2.如权利要求1所述的外延温度测试监控结构，其特征在于：形成所述监控窗口之前，在所述半导体衬底上还形成有一介质层，在所述介质层中具有监控结构窗口，所述监控结构窗口包括第一开口和位于所述第一开口间的第一间距区，所述第一开口的特征尺寸大小相等且暴露出所述半导体衬底的表面，所述介质层存在的区域形成的所述第一间距区的特征尺寸大小相等。

3.如权利要求2所述的外延温度测试监控结构，其特征在于：形成所述监控结构窗口之后，所述第一开口中暴露出的半导体衬底的表面上还具有氧化层。

4.如权利要求3所述的外延温度测试监控结构，其特征在于：去除所述氧化层和介质层之后，再形成有所述监控窗口。

5.如权利要求4所述的外延温度测试监控结构，其特征在于：所述第二开口对应于所述第一开口的位置处，所述第二间距区对应于所述第一间距区的位置处。

6.如权利要求1所述的外延温度测试监控结构，其特征在于：所述第二开口至少具有两个。

7.如权利要求1所述的外延温度测试监控结构，其特征在于：所述第二开口的特征尺寸大小和第二间距区的特征尺寸大小具有相同值。

8.如权利要求1所述的外延温度测试监控结构，其特征在于：所述监控窗口沿所述第三开口和第三间距区发生外延畸变的方向排列。

9.如权利要求1所述的外延温度测试监控结构，其特征在于：所述测试结构的厚度为1μm～100μm。