[实用新型]半导体气体传感器

权利要求书

1.一种半导体气体传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有表面；

设置在所述表面的加热电极、以及位于所述加热电极形成的热场中的信号感测电极，所述加热电极和所述信号感测电极彼此绝缘，所述加热电极包括邻近所述信号感测电极主加热部以及相对远离所述信号感测电极的次加热部；其中，

所述主加热部的电阻大于所述次加热部的电阻。

2.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述主加热部的宽度小于所述次加热部的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述主加热部具有第一线宽，所述次加热部具有第二线宽。

4.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电极在远离所述信号感测电极的方向上电阻逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述信号感测电极包括金属氧化物薄膜、或至少两个导电电极以及连接所述导电电极的功能层。

6.根据权利要求5所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述金属氧化物薄膜选自SnO₂、ZnO、In₂O₃、WO₃、NiO、TiO₂、Fe₂O₃、CoO、Co₃O、MnO中的一种。

7.根据权利要求1所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电极环绕所述信号感测电极设置，所述主加热部与所述信号感测电极纵长方向上延长线的相交段的电阻小于剩余部分主加热部的电阻。

8.根据权利要求7所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述主加热部与所述信号感测电极纵长方向上延长线的相交段的线宽大于剩余部分主加热部的线宽。

9.根据权利要求5所述的半导体气体传感器，其特征在于，所述加热电极和所述导电电极由金属或合金薄膜制得，所述金属选自Pt、Au、Ag、Cu、Al、Ni、W中的一种，所述合金薄膜选自镍镉合金薄膜、钼锰合金薄膜、铜锌合金薄膜、钯银合金薄膜、铂铜合金薄膜、铁钴合金薄膜中的一种。

10.一种半导体气体传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有表面；

设置在所述表面的加热电极、以及位于所述加热电极形成的热场中的信号感测电极，所述加热电极和所述信号感测电极彼此绝缘；其中，

与所述信号感测电极之间的距离大于预设间距的部分加热电极的电阻小于与所述信号感测电极之间的距离小于预设间距的部分加热电极的电阻。