[实用新型]一种肖特基二极管的跳线

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体分立器件技术领域，特别涉及一种肖特基二极管的跳线结构的改进。

背景技术

肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。TO-277A封装肖特基二极管具有如下特点:散热片及电极采用外露封装设计，使用高纯铜材，散热效果更好，贴片式安装；产品高接温，可以承受260℃回流焊及波峰焊接温度；TO-277A封装肖特基二极管广泛应用于太阳能电池、汽车电子、电脑周边、家电、MINI型电源适配器产品等。肖特基二极管跳线用于实现晶粒与金属框架的电性连接，肖特基二极管跳线与晶粒的焊接质量直接影响肖特基二极管的性能。现有的TO-277A封装肖特基二极管的跳线结构不合理，导致焊接良率低，也影响到肖特基二极管的使用寿命。图1为现有的TO-277A封装肖特基二极管的跳线结构俯视图，图2为现有的TO-277A封装肖特基二极管的跳线结构侧视图，如图1和2所示，现有TO-277A封装肖特基二极管的跳线结构包括连为一体的本体1、一个前端焊脚2和两个后端焊脚4，前端焊脚2与本体1之间设有一个斜角折弯部3，折弯角度为斜角，折弯深度为0.25mm，前端焊脚2是跳线与晶粒焊接连接处；现行的结构焊接时容易造成晶粒上方锡膏溢到晶粒的氧化层，导致良率下降，生产成本增加，并且影响产品可靠性和使用寿命。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种焊接良率高，连接可靠性强的肖特基二极管的跳线结构。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种肖特基二极管的跳线，包括跳线本体、一个前端焊脚、两个后端焊脚，前端焊脚设置在跳线本体的一端，两个后端焊脚设置在跳线本体的另一端；

前端焊脚是肖特基二极管跳线与晶粒焊接连接处；

前端焊脚与跳线本体之间设有第一折弯部，第一折弯部的折弯角度为直角。

将折弯角度由斜角改成直角，可以增加跳线折弯位置容纳锡膏的空间。

进一步的，第一折弯部的折弯深度为0.30mm。

折弯深度为0.30mm既增加前端折弯的深度，又不会在塑封后有跳线露出塑封体异常。

本实用新型通过增加跳线前端焊脚折弯部的折弯深度，并将折弯角度由斜角改成直角，可以增加跳线折弯位置容纳锡膏的空间，降低锡膏溢到晶粒氧化层的风险；从而降低焊接不良率，提高了产品的合格率，有效的节约生产成本，提高产品的可靠性和使用寿命。

附图说明

图1为现有的TO-277A封装肖特基二极管的跳线结构俯视图；

图2为现有的TO-277A封装肖特基二极管的跳线结构侧视图；

图3为本实用新型肖特基二极管的跳线结构俯视图；

图4为本实用新型肖特基二极管的跳线结构侧视图；

图5为肖特基二极管内部结构侧视图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、跳线本体，2、前端焊脚，3、斜角折弯部，4、后端焊脚，5、第一折弯部，6、晶粒，7、框架，8、折弯深度。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

图3为本实用新型肖特基二极管的跳线结构俯视图，图4为本实用新型肖特基二极管的跳线结构侧视图；如图3和图4所示，一种肖特基二极管的跳线，包括跳线本体1、一个前端焊脚2、两个后端焊脚4，前端焊脚2设置在跳线本体1的一端，两个后端焊脚4设置在跳线本体1的另一端；前端焊脚2是肖特基二极管跳线与晶粒焊接连接处；前端焊脚2与跳线本体1之间设有第一折弯部5，第一折弯部5的折弯角度为直角，第一折弯部5的折弯深度8为0.30mm。

图5为肖特基二极管内部结构侧视图，包括框架7以及设置在框架7上的晶粒6和跳线；跳线的前端焊脚2与晶粒6焊接连接，跳线的后端焊脚4与框架7焊接连接，由图5可以看出，增加跳线前端焊脚2折弯部的折弯深度8，并将折弯角度由斜角改成直角，在焊接时可以增加在晶粒6上跳线折弯位置容纳锡膏的空间，降低锡膏溢到晶粒氧化层的风险；从而降低焊接不良率，节约生产成本，提高产品的可靠性和使用寿命。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。