[实用新型]缺陷标准片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种缺陷标准片。

背景技术

半导体制造过程中，随着时间的推移设备机台会出现不同的状况，例如性能不稳、出现故障等。为了能够定时监测设备机台的性能，及时了解其性能是否发生偏差，就需要使用标准片（Standard wafer）对设备机台进行监测。

缺陷扫描机台（Inspection tool）是高度精密的检测设备，用于扫描晶圆的缺陷。所述缺陷扫描机台对于集成电路的工艺研发、良率提升有着十分重要的作用。为确保缺陷扫描机台能够有效的发挥工厂“眼睛”的作用，监控缺陷扫描机台的扫描精度以及扫描稳定性十分重要。

现有技术中，通常采用一种缺陷标准片用于监测缺陷扫描机台的精度以及稳定性，请参考图1，所述缺陷标准片包括半导体衬底10以及形成在所述半导体衬底10表面的多个缺陷20，其中，所述缺陷20之间保持一定的间距。在对缺陷扫描机台进行监测时，使用缺陷扫描机台对所述缺陷标准片进行缺陷扫描，若发现扫描出的结果与正确值出现偏差，则说明缺陷扫描机台出现了一定的偏差，应对缺陷扫描机台进行维护。

然而，随着半导体特征尺寸的持续减小，较小的缺陷也能够影响晶圆的良率和可靠性，然而，较小的缺陷通常只能在缺陷扫描机台精度和性能良好的情况下才能被检测出，也就是说，一旦缺陷扫描机台出现了轻微的偏差和稳定性不够，就无法精确的检测出较小的缺陷，从而出现漏检。因此，半导体特征尺寸的持续减小对缺陷扫描机台的稳定性以及精度要求越来越高。那么，寻找更加灵敏的方法来监测缺陷扫描机台的精度和稳定性，以适应先进工艺的需求，成为了一个十分重要的课题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种缺陷标准片，能够十分灵敏的监测缺陷扫描机台的精度和稳定性。

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种缺陷标准片，用于监测缺陷扫描机台的稳定性和精度，所述缺陷标准片包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括M个缺陷区域；

N层隔离层，所述隔离层层叠于所述缺陷区域上，每一隔离层均具有M个缺陷区域；

多个缺陷，所述缺陷分别形成在第一层隔离层的第一个缺陷区域、第二层隔离层的第二个缺陷区域、第N层隔离层的第M个缺陷区域；

其中，N和M均为正整数。

进一步的，所述缺陷之间具有预定尺寸和间距。

进一步的，所述预定间距的范围是0.01μm～10μm。

进一步的，所述缺陷的尺寸范围是0.01μm～10μm。

进一步的，所述隔离层的厚度范围是0.01μm～10μm。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：将缺陷分布在不同隔离层的不同缺陷区域上，由于缺陷的分布呈阶梯型，在对缺陷扫描机台进行稳定性以及精度检测时，本实用新型提出的缺陷标准片较之现有技术中单一平面分布对缺陷扫描机台的精度要求更高，因此能够十分灵敏的监测缺陷扫描机台的稳定性以及精度。

附图说明

图1为现有技术中缺陷标准片的结构示意图；

图2为本实用新型一实施例中缺陷标准片的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的缺陷标准片进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图2，在本实施例中，提出了一种缺陷标准片，用于监测缺陷扫描机台的稳定性和精度，所述缺陷标准片包括：

半导体衬底100，所述半导体衬底100包括M个缺陷区域；

N层隔离层200，所述隔离层200层叠于所述缺陷区域上，每一隔离层均具有M个缺陷区域；