[实用新型]气体喷嘴装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种气体喷嘴装置。

背景技术

随着半导体特征尺寸的持续减小，现有的半导体生产工艺均遭遇到相应的技术挑战。其中，刻蚀工艺便遭遇了巨大的挑战，例如如何保持刻蚀的均匀性。

在现有技术中，尤其在450mm的产品或更先进的工艺中，为了能够很好的控制不同晶片和晶片组之间的刻蚀均匀性，通常会采用前馈式控制或反馈式控制的方式来调节刻蚀的均匀性。通常情况下，在进行刻蚀反应时，刻蚀温度对刻蚀速率具有一定的影响，因此，现有技术中，通常会通过调节刻蚀温度来调节刻蚀均匀性。

然而，并非所有刻蚀工艺均可以通过调节刻蚀温度来实现对刻蚀均匀性的调节，例如在对低介电质材料（Low K）进行刻蚀时，刻蚀速率对刻蚀温度并不敏感。

在刻蚀工艺中，所述刻蚀气体会在反应腔室内被解离成刻蚀气浆，所述刻蚀气浆对半导体晶圆表面进行刻蚀，因此，所述刻蚀气浆的均匀性直接影响刻蚀工艺的均匀性。

请参考图1和图2，图1为现有技术中气体喷嘴装置的俯视图，图2为现有技术中气体喷嘴装置的结构示意图，所述气体喷嘴装置10的俯视图为圆形，并设有若干圆形的沟槽11，所沟槽11用于导通刻蚀气体，所述气体喷嘴装置10包括一气体管路20，所述气体管路20用于提供刻蚀气体，所述气体喷嘴装置10设有第一层12和第二层13，其中所述第二层13固定于所述第一层12之上，两者均不可移动。也就是说，所述沟槽11的沟槽尺寸固定不可改变，导致刻蚀气体形成的刻蚀气浆的均匀性也就固定不可调，进而，也就无法调节刻蚀的均匀性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种气体喷嘴装置，能够调节沟槽的沟槽尺寸，从而可以调节刻蚀气浆的均匀性，进而可以调节刻蚀工艺的均匀性。

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种气体喷嘴装置，用于提供刻蚀气体，所述装置包括喷嘴圆盘，所述喷嘴圆盘设有多个沟槽，所述喷嘴圆盘包括第一固定层、第二固定层和活动层，其中，所述活动层位于所述第一固定层和第二固定层之间。

进一步的，所述活动层包括多个单层。

进一步的，所述活动层的活动范围是0.1μm～1mm。

进一步的，所述沟槽的个数范围是1～200个。

进一步的，所述沟槽的尺寸范围是10μm～5mm。

进一步的，所述气体喷嘴装置还包括气体管路，所述气体管路与所述喷嘴圆盘相连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在，在喷嘴圆盘中添加活动层，所述活动层能够活动，通过调节所述活动层可以控制沟槽的尺寸大小，从而可以控制通过的刻蚀气体的量，控制由刻蚀气体形成的刻蚀气浆的均匀性，进而能够调节刻蚀工艺的均匀性。

附图说明

图1为现有技术中气体喷嘴装置的俯视图；

图2为现有技术中气体喷嘴装置的结构示意图；

图3为本实用新型一实施例中气体喷嘴装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的气体喷嘴装置进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图3，在本实施例中，提出了一种气体喷嘴装置，用于提供刻蚀气体，所述装置包括喷嘴圆盘，所述喷嘴圆盘设有多个沟槽110，所述喷嘴圆盘包括第一固定层120、第二固定层130和活动层，其中，所述活动层位于所述第一固定层120和第二固定层130之间。

在刻蚀过程中，刻蚀气体经由所述喷嘴圆盘上的沟槽110至反应腔室内，并在所述喷嘴圆盘附近区域形成刻蚀气浆，对半导体晶圆进行刻蚀。