[实用新型]一种组合式无源PFC电路有效

专利信息
申请号: 201320802754.X 申请日: 2013-12-05
公开(公告)号: CN203632932U 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 李锦红;孙立涛 申请(专利权)人: 广东科谷电源有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 黄冠华
地址: 528000 广东省佛山市南海区狮山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 组合式 无源 pfc 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及LED驱动电源领域,特别是指小功率LED电源中的组合式无源PFC电路。

背景技术

PFC(Power Factor Correct)功率因数校正,主要用于表征电子产品对电能的利用效率,功率因素越高,说明电能的利用效率越高。例如计算机开关电源是一种电容输入型电路,其电流和电压之间的相位差会造成交换功率的损失,此时便需要PFC电路提高功率因数。另外在LED照明技术领域,由于LED自身的耗能低特性,因此采用LED的灯具受到了越来越广泛的应用;用户对小功率电源的PFC和谐波含量要求也越来越高。而小功率LED电源为了降低成本大都采用填谷电路式无源PFC方案,但此电路PTC会在0.87~0.92之间波动,谐波含量也高,因此效果不佳。

实用新型内容

本实用新型提出一种低成本、低谐波且高功率因数的组合式无源PFC电路。

本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种组合式无源PFC电路,包括LED电源、填谷电路以及电感补偿电路,其中所述电感补偿电路与所述填谷电路电性连接,所述填谷电路与所述LED电源电性连接。

进一步的,所述电感补偿电路包括依次串联的具有隔离功能的二极管D1、具有限流功能的电阻R3以及电感L3。

进一步的,所述填谷电路包括二极管D2、D3、D4;电容C3、C4;其中二极管D2与电容C3串联,二极管D4与电容C4串联;二极管D3一端连接于二极管D2与电容C3相连的节点上,一端连接于二极管D4与电容C4相连的节点上。

进一步的,所述电感为铁粉芯或铁氧体磁芯绕制补偿电感。

进一步的,所述电感为80~150uH。

本实用组合式无源PFC电路,填谷电路的基础上增加电感补偿电路,由于有填谷电路,因此电感补偿电路中的电感设计可以较小,因此可以减少体积降低成本,且电感补偿电路可以在电路中起着稳流的租用,改变基波电流的相位,使之与电压相位差减少从而提高功率因数。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一种组合式无源PFC电路的方框示意图;

图2为一种组合式无源PFC电路的电子线路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

一种组合式无源PFC电路,包括LED电源1、填谷电路2以及电感补偿电路3,其中所述电感补偿电路3与所述填谷电路2电性连接,所述填谷电路2与所述LED电源1电性连接。

进一步的,所述电感补偿电路3包括依次串联的具有隔离功能的二极管D1、具有限流功能的电阻R3以及电感L3。其中二极管D1用于阻止电感自感电动势产生的反向电流流过,在电路中起着稳流的作用。电感L3为补偿电感,由于有填谷电路的存在,所以补偿电感的电感值可以设置在80~150uH,因此为铁粉芯或铁氧体磁芯绕制的补偿电感。补偿电感L3改变了基波电流的相位,使之与电压相位差减少来提高功率因数。

进一步的,所述填谷电路包括二极管D2、D3、D4;电容C3、C4;其中二极管D2与电容C3串联,二极管D4与电容C4串联;二极管D3一端连接于二极管D2与电容C3相连的节点上,一端连接于二极管D4与电容C4相连的节点上。填谷电路可以大幅度增加整流管的导通角,通过填平谷点,使输入电流从尖峰脉冲变为接近正弦波波形,从而将功率因素提高。

本实用新型组合式无源PFC电路在填谷电路的基础上增加了电感补偿电路,利用电感补偿电路从而可以提高功率因数,功率因数由之前的0.87~0.92提高至0.94~0.95,且功率因数稳定,谐波含量也满足客户的要求;电源转换率高,也大大的减少了能源的浪费。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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