[实用新型]一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路

权利要求书

1.一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，用于在电机的线圈电流超过基准电流Iref时启动过流保护，其特征在于，包括MOSFET管MI、电流采样管MII、MOS管M6、电流源Itrip、电压比较器VC和电流比较器IC；所述电流源Itrip是所述电机的线圈电流；所述电流比较器IC的输入端输入基准电流Iref； 

所述MOSFET管MI的源极与电机电源电压VBB连接，栅极与所述电流采样管MII的栅极连接在一起；漏极分别与所述电压比较器VC的输入端和所述电流源Itrip的输入端连接； 

所述电流采样管MII的源极与所述电机电源电压VBB连接，栅极与所述MOSFET管MI的栅极连接，漏极分别与所述电压比较器VC的输入端和所述MOS管M6的漏极连接； 

所述电压比较器VC的输出端IN分别与所述MOS管M6的栅极和所述电流比较器IC的输入端连接； 

所述MOS管M6的源极直接与地相连； 

所述电流比较器IC输出控制信号以启动所述过流保护。 

2.如权利要求1所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，其中，所述电流采样管MII的栅极电压G_UP要大于所述电机电源电压VBB。 

3.如权利要求1所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述过流保护电路还包括MOS管M5，所述MOS管M5连接在所述电流采样管MII的漏极与所述MOS管M6的漏极之间，所述MOS管M5的漏极与所述电流采样管MII的漏极连接，源极与所述MOS管M6的漏极连接，钳位电压VREG接入所述MOS管M5的栅极。 

4.如权利要求3所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述电压比较器VC包括若干MOSFET管、若干MOS管、三极管Q1和三极管Q2； 

所述电压比较器VC的正相输入信号输入到所述三极管Q1的基极，负相输入信号输入到所述三极管Q2的基极；所述电压比较器VC的输出端位于MOS管M24和MOS管M21的漏极之间； 

所述MOSFET管MI和所述电流采样管MII的栅极电压G_UP输入到MOSFET管M11、MOSFET管M12、MOSFET管M13和MOSFET管M14的源极；MOSFET管M11和MOSFET管M12、MOSFET管M13和MOSFET管M14是电流镜结构； 

所述三极管Q1的集电极与MOSFET管M12的栅极和漏极连接，发射极与MOSFET管M16的漏极连接；所述三极管Q2的集电极与MOSFET管M13的栅极和漏极连接，发射极与MOSFET管M16的漏极连接； 

所述钳位电压VREG输入到MOSFET管M15、MOSFET管M16和MOSFET管M17的栅极；MOSFET管M15的漏极与MOSFET管M11的漏极连接，源极与MOS管M18的栅极和漏极连接；MOSFET管M16的源极与MOS管M20的漏极连接；MOSFET管M17的漏极与MOSFET管M14的漏极连接，源极与MOS管M12的栅极和漏极连接； 

电源电压VDD接入MOS管M23和MOS管M24的源极；MOS管M18、MOS管M19、MOS管M20、MOS管M21和MOS管M22的源极直接接地；MOS管M20的栅极与偏置电流BIASN连接；MOS管M19、MOS管M21、MOS管M23和MOS管M24是电流镜结构。 

5.如权利要求4所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述三极管Q1和所述三极管Q2采用NPN管。 

6.如权利要求3所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述电流比较器IC包括若干MOS管； 

所述电流比较器IC的输入端IN与MOS管M34的栅极连接，所述基准电流Iref接入到MOS管31的栅极；所述电流比较器IC的输出端位于MOS管M37的漏极和MOS管M38的漏极之间； 

电源电压VDD接入MOS管M32、MOS管M33、MOS管M35和MOS管M37的源极；MOS管M31、MOS管M34、MOS管M36、和MOS管M38的源极直接接地；MOS管M32的栅极和MOS管M33的栅极连接；MOS管M35的栅极和MOS管M36的栅极连接；MOS管M37的栅极和MOS管M38的栅极连接。 

7.如权利要求6所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，在所述电流比较器IC中，所述MOS管M35和所述MOS管M36组成一个反相器；所述MOS管M37和所述MOS管M38组成一个反相器。