[实用新型]开关量输出保护装置和系统有效
申请号: | 201320780929.1 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN203645295U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 刘维洋;付思瑶 | 申请(专利权)人: | 北车大连电力牵引研发中心有限公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 116045 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关 输出 保护装置 系统 | ||
1.一种开关量输出保护装置,其特征在于,包括:控制模块、输出模块、检测模块和保护模块;
所述输出模块分别与所述控制模块和所述检测模块电连接,所述保护模块的两个输入端分别与所述检测模块的两端电连接,所述保护模块的输出端与所述控制模块电连接;
所述控制模块,用于当接收到所述保护模块输入的非过流反馈信号时,根据输入装置输入的第一控制信号生成第一驱动信号,或者根据所述输入装置输入的第二控制信号生成第二驱动信号;或者,用于当接收到所述保护模块输入的过流反馈信号时生成所述第二驱动信号;
所述输出模块,用于根据所述第一驱动信号生成第一开关量信号;或者,用于根据所述第二驱动信号生成第二开关量信号,所述第二开关量信号小于设定电流阈值;
所述检测模块,用于将所述第一开关量信号输入至受控装置;或者,用于将所述第二开关量信号输入至所述受控装置;
所述保护模块,用于当所述第一开关量信号大于或者等于所述设定电流阈值时生成所述过流反馈信号;或者,用于当所述第一开关量信号小于所述设定电流阈值时生成所述非过流反馈信号。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述控制模块为逻辑与门。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述输出模块包括光耦合金属氧化物半导体场效应晶体管OC MOSFET、第一电源、电容器和第一电阻;
所述电容器的第一端分别与所述第一电源、所述OC MOSFET中场效应晶体管的集电极电连接,所述电容器的第二端与所述第一电阻的第一端电连接,所述第一电阻的第二端分别与所述OC MOSFET中所述场效应晶体管的发射极和所述检测模块电连接。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述检测模块为第二电阻。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述保护模块包括光电耦合器、第二电源和上拉电阻;
所述光电耦合器中发光二极管的正极与所述检测模块的第一端电连接,所述光电耦合器中发光二极管的负极分别与所述检测模块的第二端和所述受控装置电连接,所述光电耦合器中光敏三极管的集电极分别与所述控制模块和所述上拉电阻的第一端电连接,所述上拉电阻的第二端与所述第二电源电连接。
6.一种开关量输出保护系统,其特征在于,包括:输入装置、受控装置和如权利要求1-5任一项所述的开关量输出保护装置;
所述输入装置与所述开关量输出保护装置中的控制模块电连接,所述受控装置与所述开关量输出保护装置中的检测模块电连接;
所述输入装置,用于将第一控制信号或第二控制信号输入至所述控制模块;
所述受控装置,用于接收所述检测模块输入的第一开关量信号或第二开关量信号。
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