[实用新型]一种带过载保护的晶体管输出电路有效
| 申请号： | 201320780051.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN203747770U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 何雄伦;张继周 | 申请（专利权）人： | 临海市新睿电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 高文迪 |
| 地址： | 317099 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 过载 保护 晶体管 输出 电路 | ||
1.一种带过载保护的晶体管输出电路，包括功率输出晶体管Q1，所述功率输出晶体管Q1的基极连接一分压电阻R3并接入电路控制输入端IN，所述功率输出晶体管Q1的集电极直接接入功率输出端OUT，所述功率输出晶体管Q1的发射级直接接地，其特征在于，还包括与功率输出晶体管Q1并联的保护晶体管Q2，所述保护晶体管Q2的集电极接在所述功率输出晶体管Q1的基极，所述保护晶体管Q2的基极和所述保护晶体管Q2的发射极之间接有电容C1并接入所述功率输出晶体管Q1的发射极。
2.根据权利要求1所述的一种带过载保护的晶体管输出电路，其特征在于，所述功率输出晶体管Q1的集电极和基极之间并联有隔断电路，所述隔断电路包括串联的分压电阻R1和二极管D1,所述分压电阻R1的输入端接在所述电路控制输入端IN，所述分压电阻R1的输出端接在所述二极管D1的输入端，所述二极管D1的输出端接在所述功率输出晶体管Q1的集电极。
3.根据权利要求1所述的一种带过载保护的晶体管输出电路，其特征在于，所述保护晶体管Q2的基极接在所述电容C1的输出端，所述电容C1的输入端接在所述保护晶体管Q2的发射极。
4.根据权利要求2所述的一种带过载保护的晶体管输出电路，其特征在于，所述分压电阻R1的输出端和所述保护晶体管Q2的基极之间接有分压电阻R2，所述保护晶体管Q2的基极和所述电容C1的输出端之间接有分压电阻R4。
5.根据权利要求1所述的一种带过载保护的晶体管输出电路，其特征在于，所述功率输出晶体管Q1和保护晶体管Q2为NPN型晶体管。
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