[实用新型]通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片有效

专利信息
申请号: 201320777909.9 申请日: 2013-11-29
公开(公告)号: CN203551828U 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 吕晶;胡伟琴;王继平 申请(专利权)人: 杭州麦乐克电子科技有限公司
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20
代理公司: 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人: 周豪靖
地址: 311188 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 通过 3600 4000 nm 观察 图形 光谱 天文 滤光
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及红外滤光片领域,尤其是一种通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片。

背景技术

红外滤光片过滤、截止可见光同时允许通过红外线。红外线的波长很容易地穿透任何的物体,也就是红外线在经过物体时不会发生折射。利用红外线的这个特性,只让长波长的红外线通过,滤除短波长的紫外线和可见光。应用于很多领域,目前对于物体温度的感应和测量过程中,选择合适的波长范围至关重要。而现有长波通红外滤光片在使用过程中存在着测温不稳定、精确度不高等特点,特别是透过率和截止区的信噪比不高,不能满足高精度的测量要求。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种信噪比高、稳定性好、有效提高物体温度测量分辨能力和检测精度使用要求的通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片。

为了达到上述目的,本实用新型所设计的通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有:355nm厚度的SiO层、138nm厚度的Ge层、261nm厚度的SiO层、151nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层、178nm厚度的Ge层、406nm厚度的SiO层、154nm厚度的Ge层、266nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、404nm厚度的SiO层、193nm厚度的Ge层、702nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、638nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、722nm厚度的SiO层、401nm厚度的Ge层、586nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、898nm厚度的SiO层、310nm厚度的Ge层和352nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层由内向外依次排列包含有:136nm厚度的SiO层、83nm厚度的Ge层、181nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、334nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、164nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层和595nm厚度的SiO层。

上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。

本实用新型所得到的通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片,通过上述的设计,实现了稳定性好,且能适用于物体的温度感应和测量,该滤光片3600~4000nm、Tavg≥85%;1500~3400nm、4200~6500nm Tavg<0.5%,大大提高了信噪比,在用于物体温度的测量和感应时,能有效的提高分辨能力和检测精度,更好的满足实际中的使用要求。

附图说明

图1是实施例整体结构示意图;

图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。

具体实施方式

下面通过实施例结合附图对本实用新型作进一步的描述。

实施例1:

如图1、图2所示,本实施例描述的通过带为3600-4000nm的观察图形光谱天文滤光片,包括以Si为原材料的基板2,以Ge、SiO为第一镀膜层1和以Ge、SiO为第二镀膜层3,且所述基板2位于第一镀膜层1和第二镀膜层3之间,所述第一镀膜层1由内向外依次排列包含有:355nm厚度的SiO层、138nm厚度的Ge层、261nm厚度的SiO层、151nm厚度的Ge层、405nm厚度的SiO层、178nm厚度的Ge层、406nm厚度的SiO层、154nm厚度的Ge层、266nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、404nm厚度的SiO层、193nm厚度的Ge层、702nm厚度的SiO层、416nm厚度的Ge层、638nm厚度的SiO层、231nm厚度的Ge层、722nm厚度的SiO层、401nm厚度的Ge层、586nm厚度的SiO层、257nm厚度的Ge层、898nm厚度的SiO层、310nm厚度的Ge层和352nm厚度的SiO层;所述第二镀膜层3由内向外依次排列包含有:136nm厚度的SiO层、83nm厚度的Ge层、181nm厚度的SiO层、55nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、184nm厚度的SiO层、81nm厚度的Ge层、222nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、334nm厚度的SiO层、86nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、139nm厚度的Ge层、164nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层和595nm厚度的SiO层。

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