[实用新型]基于电脑横机电磁铁的保护装置

权利要求书

1.基于电脑横机电磁铁的保护装置，其特征在于，包括处理器(1)，所述的处理器(1)分别连接有第一光耦隔离模块(2)和第二光耦隔离模块(7)，所述第一光耦隔离模块(2)上依次连接有驱动模块(3)和并联的续流模块(5)和执行电磁铁模块(4)，所述并联的续流模块(5)和执行电磁铁模块(4)的另一端连接至24V的电源上，所述第二光耦隔离模块(7)分别连接有保护模块(6)和电源模块(8)，所述的驱动模块(3)与保护模块(6)和电源模块(8)相连接；

所述第一光耦隔离模块(2)包括电阻R3和光耦U3，所述光耦U3的阳极通过电阻R3连接至3.3V电源，所述光耦U3的阴极与所述处理器(1)相连接，所述光耦U3的集电极与电源15V连接，所述光耦U3发射极与驱动模块(3)相连接；

所述的处理器(1)为EP1C6Q240C8芯片。

2.根据权利要求1所述的基于电脑横机电磁铁的保护装置，其特征在于，所述驱动模块(3)包括电阻R14、电阻R15和功率开关管MOSFETQ3，电阻R14和电阻R15均与光耦U3的发射极连接，电阻R15的另一端与功率开关管MOSFETQ3的门极连接，电阻R14的另一端与保护模块(6)连接，所述功率开关管MOSFETQ3的漏极与并联的续流模块(5)和执行电磁铁模块(4)连接，所述功率开关管MOSFETQ3的源极与保护模块(6)和电源模块(8)相连接。

3.根据权利要求2所述的基于电脑横机电磁铁的保护装置，其特征在于，所述续流模块(5)包括整流二极管D3，所述执行电磁铁模块(4)包括执行电磁铁L2，整流二极管D3的阳极与执行电磁铁L2的一端连接后与功率 开关管MOSFETQ3的漏极连接，整流二极管D3的阴极与执行电磁铁L2的另一端连接后与24V电源连接。

4.根据权利要求3所述的基于电脑横机电磁铁的保护装置，其特征在于，所述第二光耦隔离模块(7)包括电阻R32、电阻R35、电阻R31、电阻R34、光耦U5和光耦U4，光耦U5的集电极经过电阻R35与3.3V电源连接，光耦U5的阳极通过电阻R32与电源15V连接，光耦U5的发射极与处理器(1)连接，光耦U5的阴极与保护模块(6)和电源模块(8)相连接；光耦U4的发射极与处理器(1)连接，光耦U5的集电极经过电阻R34与3.3V电源连接，光耦U4的阳极通过电阻R31与电源15V连接，光耦U4的阴极与保护模块(6)相连接。

5.根据权利要求4所述的基于电脑横机电磁铁的保护装置，其特征在于，所述保护模块(6)包括电阻R20，电阻R21，开关二极管D5，电阻R22，电位器R29，电阻R17，电阻R30，电容C1，电阻R18，电阻R27，电压比较器U1和电压比较器U2；电压比较器U2的输出端与光耦U4的阴极相连接，电压比较器U2的反相输入端分别通过电阻R18与15V电源相连接以及通过电阻R27与地连接；所述电压比较器U1的输出端与光耦U5的阴极和电源模块(8)相连接，所述电压比较器U1的同相输入端连接有电阻R22、电位器R29，其中，电阻R22与15V电源相连接，电位器R29与地相连接；所述电压比较器U1的反相输入端连接有电阻R30、电容C1、电压比较器U2同相输入端和电阻R17，所述电阻R17的另一端与开关二极管D5的阴极相连接，开关二极管D5的阳极与功率开关管MOSFETQ3的源极、电阻R20和电阻R21相连接，电阻R20和电阻R21的另一端与电源模块(8)和电阻R14相连接。

6.根据权利要求5所述的基于电脑横机电磁铁的保护装置，其特征在于，所述电源模块(8)由功率开关管MOSFETQ4和电阻R44并联组成，功率开关管MOSFETQ4的漏极和电阻R44的一端连接后与电阻R21、电阻R22和电阻R14相连接，功率开关管MOSFETQ4的源极接地，功率开关管MOSFETQ4的门极与光耦U5的阴极相连接。