[实用新型]光伏组件有效
申请号: | 201320772084.1 | 申请日: | 2013-11-28 |
公开(公告)号: | CN203659890U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 苑北海;马力;高峰 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司;英利集团有限公司;国家电网公司;国网新源张家口风光储示范电站有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及一种光伏组件。
背景技术
在户外,常采用多组光伏组件串联获得高电压,光伏组件长期在高电压作用下使得玻璃和封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,使电池片表面的钝化效果恶化,导致FF(填充因子)、Isc(短路电流)、Voc(开路电压)降低及功率衰减的这种现象称为PID(Potential Induced Degradation,电势诱导衰减或电位诱导衰减)现象,上述PID现象会导致光伏组件的功率急剧下降。
如何避免上述PID现象的产生,已成为了各大光伏组件生产厂家的当务之急。目前各大光伏组件生产厂家都在以生产抗PID的电池来解决光伏组件的PID现象。光伏组件包括玻璃、EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)、电池片、EVA和背板共同层压而成。电池片朝向玻璃的一侧上设有减反射膜层。其中,一种提高光伏组件的抗PID性能的方法是增大电池片的折射率,具体做法为增大电池表面的减反射膜层的折射率。
通过上述方法制成的光伏组件能够在一定程度上达到抗PID的功能。但是,电池片的折射率增大了,同时带来电池片的功率大大地下降,这样会导致整个光伏组件的输出功率下降,进而达不到市场需求,失去市场竞争力。
实用新型内容
本实用新型旨在提供一种光伏组件,以解决现有技术中光伏组件容易出现PID现象的问题。
为了实现上述目的,本实用新型提供了一种光伏组件,包括依次叠置的背板层、第一EVA层、电池片层、第二EVA层以及玻璃层,光伏组件还包括:用于阻挡玻璃层的金属阳离子进入电池片层的阻挡层,阻挡层设置在电池片层朝向玻璃层的一侧。
进一步地,阻挡层的材料为离子聚合物或聚烯烃。
进一步地,阻挡层设置在玻璃层和第二EVA层之间。
进一步地,阻挡层设置在电池片层和第二EVA层之间。
进一步地,阻挡层的厚度大于100μm。
应用本实用新型的技术方案,在电池片层朝向玻璃层的一侧增加了阻挡层,阻挡层能够阻挡金属阳离子进入电池片层,避免了金属阳离子聚集在电池片层的表面,这样使电池片层的表面不易被钝化,进而避免产生PID现象,从而保证了光伏组件的功率的输出。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1示出了根据本实用新型的光伏组件的实施例的结构示意图。
上述附图包括以下附图标记:
10、背板层;20、第一EVA层;30、电池片层;40、第二EVA层;50、玻璃层;60、阻挡层。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
如图1所示,本实施例的光伏组件包括依次叠置的背板层10、第一EVA层20、电池片层30、第二EVA层40、玻璃层50和阻挡层60,阻挡层60用于阻挡玻璃层50的金属阳离子进入电池片层30,阻挡层60设置在电池片层30朝向玻璃层50的一侧。金属阳离子为钠离子、钾离子、钙离子等,主要是钠离子。
应用本实施例的光伏组件,在电池片层30朝向玻璃层50的一侧增加了阻挡层60,阻挡层60能够阻挡金属阳离子进入电池片层30,避免了金属阳离子聚集在电池片层30的表面,这样使电池片层30的表面不易被钝化,进而避免产生PID现象,从而保证了光伏组件的功率的输出。
在本实施例中,阻挡层60的材料为离子聚合物或聚烯烃。在本实施例中,阻挡层60设置在玻璃层50和第二EVA层40之间。酸根离子与水蒸气结合会加快金属阳离子的移动,离子聚合物或聚烯烃的材料不会释放酸根离子,空气中的水蒸气不会通过阻挡层60与第二层EVA释放酸根离子结合,这样可以将金属阳离子阻挡在阻挡层60外,进而光伏组件产生PID现象。
在图中未示出的实施例中,阻挡层60设置在电池片层30和第二EVA层40之间。第二EVA层释放的酸根离子与进入到第二EVA层中的水蒸气结合能够加快玻璃层50的金属阳离子的运动,但金属阳离子不能通过阻挡层60,进而金属阳离子不能进入电池片层30,达到抗PID的效果。
在本实施例中,阻挡层60的厚度大于100μm。优选地,阻挡层60的厚度为100μm。可以将第二EVA层的厚度减小,这样可以减少原材料的成本。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的