[实用新型]移动设备的充电装置有效
申请号: | 201320764556.9 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN203589802U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 李翔宇;张潇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移动 设备 充电 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于充电器领域,尤其涉及一种移动设备的充电装置。
背景技术
目前,手机用户日益增多,功能也越来越强大,但是当用户开启多个应用时手机耗电量就会增加。手机电池容量有限,用户就会遇到手机电池续航时间短的问题。现在市场上的智能手机用户几乎每天都必须给手机充电。如果不用移动电源的话,充电时手机必须接在外接电源附近,这对用户使用手机产生一定的不便。
实用新型内容
基于此,有必要提供在移动设备电量低的情况下使用其他移动设备对其充电,延长移动设备的续航时间一种移动设备的充电装置。
一种移动设备的充电装置,用于利用第一设备为第二设备充电,包括依次连接的输入接口、升压电路、去噪电路、稳压电路、输出接口,所述输入接口与所述第一设备的电源输出端连接,所述输出接口与所述第二设备的电源输入端连接。
进一步地,所述输入接口和所述输出接口为USB接口。
进一步地,所述升压电路包括第一电感、IGBT管、第一二极管、第一电容,其中,
所述第一电感的第一端与所述输入接口的正极连接、第二端与所述IGBT管的集电极以及所述第一二极管的阳极连接,所述IGBT管的发射极与所述输入接口的负极连接,所述IGBT管的门极接收外部控制信号,所述第一电容连接在所述第一二极管的阴极和所述IGBT管的发射极之间,且所述第一二极管的阴极输出升压电压。
进一步地,所述去噪电路包括第二电感、第二电容、第三电容,其中,
所述第二电容的第一端与所述第一二极管的阴极连接,所述第二电容的第二端与所述输入接口的负极连接,所述第三电容的第一端通过所述第二电感与所述第一二极管的阴极连接,所述第三电容的第二端与所述输入接口的负极连接。
进一步地,所述稳压电路包括第一电阻、第一稳压二极管、第二电阻,其中,
所述第一稳压二极管的阴极通过所述第一电阻与所述第三电容的第一端连接,所述第一稳压二极管的阳极与所述第三电容的第二端连接,且所述第一稳压二极管的阴极、阳极分别作为所述稳压电路的正极输出端、负极输出端,所述第二电阻与所述第一稳压二极管并联,且所述第二电阻的两端分别与所述输出接口的两端连接。
该移动设备的充电装置将第一设备的输出电信号升压之后再稳定输出,提供给另外的第二设备充电,这种充电装置可以尝试在不同的移动设备间实现相互充电。可以方便用户在移动设备电量低的情况下使用其他电量高的移动设备对其充电,延长移动设备的续航时间,可以使用户应对在无外接电源情况下移动设备电量低的情况。同时,用户可以利用移动设备相互充电避免频繁地寻找外接电源为移动设备充电的麻烦。
附图说明
图1利用移动设备充电的模块示意图;
图2是移动设备的充电装置的原理图。
具体实施方式
为了使本实用新型要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1所示,移动设备的充电装置用于利用第一设备为第二设备充电。如图2所示,移动设备的充电装置包括依次连接的输入接口101、升压电路102、去噪电路103、稳压电路104、输出接口105,输入接口101与第一设备的电源输出端(图未示)连接,输出接口105与第二设备的电源输入端(图未示)连接。
上述的第一设备和第二设备可以是比如手机、平板电脑、便携电脑等。其中,第一设备作为提供电能的设备,接入移动设备的充电装置的输入接口101。第二设备作为接受电能的设备,接入移动设备的充电装置的输出接口105。
进一步的实施例中,输入接口101和输出接口105为USB接口,例如是Mini USB接口或Micro USB接口。
参考图2,在具体的实施例中,升压电路102包括第一电感L1、IGBT管(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)T、第一二极管D1、第一电容C1。第一电感L1的第一端与输入接口101的正极连接,第一电感L1的第二端与IGBT管T的集电极以及第一二极管D1的阳极连接,IGBT管T的发射极与输入接口101的负极连接,IGBT管T的门极接收外部控制信号,该控制信号用于控制IGBT管T的通断;第一电容C1连接在第一二极管D1的阴极和IGBT管T的发射极之间,且第一二极管D1的阴极输出升压电压。
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