[实用新型]一种晶圆边缘清洗装置有效
申请号: | 201320759536.2 | 申请日: | 2013-11-26 |
公开(公告)号: | CN203562410U | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 唐强;刘永 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B1/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 边缘 清洗 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体制造设备领域,特别是涉及一种晶圆边缘清洗装置。
背景技术
目前,在半导体器件的制造工艺中,常常使用电化学镀(ECP)等工艺在刻蚀出的沟槽内壁以及晶圆表面形成铜电镀层,在铜电镀层形成完毕,将晶圆从电镀液中取出后,由于晶圆的边缘区域原来被电镀环夹住,所以基本镀不上铜电镀层,但是,可能会出现毛边,为防止该毛边对后续工艺造成影响,需要对其进行清洗。采用物理气相沉积(PVD)对晶圆进行镀铜时也会遇见同样的晶圆边缘污染问题,需要对其进行清洗。目前清洗通常采用的方式是,在现有的晶圆清洗装置上对晶圆进行清洗,该晶圆清洗装置通常包括电机和清洗喷嘴,清洗喷嘴位于晶圆清洗装置的上方,将晶圆放置到晶圆清洗装置的清洗位置后,在电机的驱动下进行晶圆可以高速旋转,同时从位于晶圆清洗装置上方的清洗喷嘴喷洒出清洗溶剂,通过控制清洗喷嘴的角度,可使得清洗溶剂仅喷洒到晶圆的边缘区域上,从而利用清洗液的化学特性来对可能出现的毛边进行清洗。
使用现有技术,在对晶圆进行电化学镀(ECP)或物理气相沉积(PVD)后,对晶圆边缘清洗(EBR,Edge Bevel Remove)的过程中,有时会遇到清洗后晶圆的边缘还有残余的污染的问题,即对晶圆边缘清洗的不彻底,这是不成功的晶圆清洗,清洗不成功的晶圆是次品并不能使用。
因此,如何提高晶圆边缘清洗的成功率,进而提高晶圆制造的成功率是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种晶圆边缘清洗装置,用于解决现有技术中对晶圆边缘清洗不彻底,清洗后晶圆的边缘还有残余的污染等问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供在现有的晶圆清洗装置基础上增加了一种晶圆边缘清洗装置,所述晶圆边缘清洗装置至少包括:两端可伸缩的主轴,固定于所述主轴伸缩端的物理清洗部件,以及与所述主轴连接且用于控制所述主轴伸缩的主控部件,其中:所述物理清洗部件包括上下相对设置、供清洗晶圆边缘一对清洗刷,固定所述一对清洗刷的一对夹持件,以及与所述一对夹持件连接且用于控制所述夹持件中的所述一对清洗刷接触或离开所述晶圆边缘的从控部件。
优选地,所述物理清洗部件有两组且分别固定于所述主轴可伸缩的两端。
作为本实用新型的晶圆边缘清洗装置的另一个优选方案,所述主控部件包括气缸,所述从控部件包括气缸。
优选地,所述夹持件是夹子。
优选地,所述晶圆边缘清洗装置还包括用于对所述物理清洗部件中的所述一对清洗刷进行冲洗的冲洗部件。
优选地,所述冲洗部件包括分别用于对所述物理清洗部件中两个所述清洗刷进行冲洗的两个冲洗喷嘴。
优选地,每一个所述物理清洗部件对应有一个所述冲洗部件。
优选地,所述冲洗部件还包括用于带动所述冲洗喷嘴旋转的旋转驱动件。
优选地,所述冲洗部件喷射的清洗剂是去离子水。
如上所述,本实用新型的一种晶圆边缘清洗装置,具有以下有益效果:
本实用新型的一种晶圆边缘清洗装置能够对晶圆边缘进行物理清洗,使得晶圆边缘的清洗更彻底,从而减少了晶圆边缘清洗过程中的污染残余问题,提高了晶圆制造的成功率;所述晶圆边缘清洗装置仅在进行晶圆边缘清洗工作时靠近晶圆,对原有的晶圆清洗装置没有影响。
附图说明
图1显示为本实用新型一种晶圆边缘清洗装置实施例中清洗晶圆时的侧面结构示意图。
图2显示为本实用新型一种晶圆边缘清洗装置实施例中对清洗刷冲洗时的侧面结构示意图。
元件标号说明
101 晶圆
102 清洗刷
103 夹子
104 从控气缸
105 主轴
106 主控气缸
107 冲洗喷嘴
201 物理清洗部件
202 冲洗部件
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造