[实用新型]带有新型主栅电极图形的MWT电池有效
| 申请号: | 201320758616.6 | 申请日: | 2013-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN203674221U | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
| 发明(设计)人: | 徐娟;罗茂盛 | 申请(专利权)人: | 江阴鑫辉太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址: | 214426 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带有 新型 电极 图形 mwt 电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种MWT电池,尤其涉及一种带有新型主栅电极图形的MWT电池,属于太阳能电池制造领域。
背景技术
太阳能电池是将太阳能转换成电能的半导体器件。电池电极是电池的重要组成部分,它负责把电池体内的光生电流引起电池外部
MWT(Metallization Wrap Through,金属穿孔卷绕技术)太阳能电池与传统太阳能电池结构相比,主要不同点是MWT电池表面的发射极所收集的电流由穿过硅基体的金属导线引导到电池的背面,使得其正负电极都位于电池的背面,这样传统太阳能电池正面所具有的导电主栅线就被移到背面的发射电极所取代,这样的背接触结构减低了正面电极遮蔽带来的光学损失,接受光照的面积相对增加。通常使用丝网印刷的方式将导电银浆印刷在电池上,再经过高温烧结,以此来作为电极。电池电极的图形是以电池总功率损耗最小,根据预先设定的电池参数值设计的。
现有技术的缺点主要是:现有MWT电池正面电极图形主栅线覆盖面积大,导致印刷的银浆消耗高,且遮光面积大,由于银浆价格昂贵,导致生产成本较高。本发明的目的在于设计一种新型的MWT正面电极图形,减小电极覆盖面积,降低银浆的消耗,增加光照接受面积,减少光学损失,从而减少生产成本。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种减小电极覆盖面积,降低银浆的消耗,增加光照接受面积,减少光学损失,从而减少生产成本的带有新型主栅电极图形的MWT电池。
本实用新型的目的是这样实现的:
一种带有新型主栅电极图形的MWT电池,该电池包括正面向背面的多个打孔,多个打孔阵列布置,竖向的多个打孔对应的电池正面设置有一条主栅,主栅对应打孔部位的正面电极为菱形,菱形短对角线长0.5~3mm,菱形长对角线长3~12mm,其余部分的主栅宽度为0.5~2mm。
作为一种优选,所述主栅为4条。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型带有新型主栅电极图形的MWT电池通过在电池打孔部位正面电极设计为菱形,具有采用减小电极覆盖面积,降低银浆的消耗,增加光照接受面积,减少光学损失,从而减少生产成本的优点。
附图说明
图1为本实用新型带有新型主栅电极图形的MWT电池的结构示意图。
图2为图1的A处局部放大图。
具体实施方式
参见图1和图2,本实用新型涉及的一种带有新型主栅电极图形的MWT电池,该电池包括正面向背面的多个打孔,多个打孔阵列布置,竖向的多个打孔对应的电池正面设置有一条主栅,主栅对应打孔部位的正面电极为菱形,菱形短对角线长0.5~3mm,菱形长对角线长3~12mm,其余部分的主栅宽度为0.5~2mm,主栅条数不限,作为一种优选,主栅为4条。
将硅片进行激光打孔、制绒、扩散、刻蚀、镀膜,然后使用上述图形的网版印刷,再经过高温烧结、电极隔绝做成电池
对此新型主栅电极图形的电池片进行电性能测试,能够达到我们的测试要求。与常规MWT电极图形的电池相比,组件功损无差异。
此新型主栅电极图形的覆盖面积较常规图形MWT电池有大幅度减少,正电极覆盖面积减少10%,电池转换效率提升0.1%,相应的消耗的银浆也分别减少了15%,大幅度减少了银浆的耗量,节省了生产成本。该带有新型主栅电极图形的MWT电池可以应用于125或156类型硅片。
实施例1
设计如上述的带有新型主栅电极图形的MWT电池,以主栅为4条的电池为例,将电池打孔部位正面电极设计为菱形,菱形短对角线长1.2mm,菱形长对角线长10.29mm,其余部位主栅宽度1.2mm。将经过激光打孔、制绒、扩散、刻蚀、镀膜后的156多晶硅片,用此图形印刷银浆;经过高温烧结、电极隔绝做成电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





