[实用新型]光电传感器有效
申请号: | 201320749822.0 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN203553098U | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 马建华;白辉;梁卫生 | 申请(专利权)人: | 四川天微电子有限责任公司 |
主分类号: | H01J40/06 | 分类号: | H01J40/06;H01J40/16 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 何强;杨冬 |
地址: | 610052 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及传感器领域,尤其是一种光电传感器。
背景技术
在光的照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成光电子,这种现象被人们统称为光电效应。运用光电效应原理就可制作出光电传感器。现有技术中,光电传感器往往只能有一个方向的光线照射产生的光电子可以被阳极很好地接收,使光电传感器能探测的光线来源方向有局限性。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种光电传感器,该光电传感器可以很好地探测来源方向更广的光线。
本实用新型公开的光电传感器包括壳体、阳极和阴极,所述的阴极包括半球壳形状的光电效应端、阴极支撑段以及阴极引脚段,所述阳极包括电子接收端、阳极支撑段以及阳极引脚段,所述电子接收端位于光电效应端上方,所述光电效应端和电子接收端之间的距离小于阳极支撑段和阴极支撑段之间的距离。
优选地,所述壳体底部设置有支撑柱,所述阳极与阴极穿过支撑柱。
本实用新型的有益效果是:半球壳形状的光电效应端可以吸收来自上方以及周围的光线产生光电子,并被阳极很好地接收,所以该光电传感器可以很好地探测来源方向更广的光线。
附图说明
图1是本实用新型的示意图。
图中标记:1为壳体,201为电子接收端,202为阳极支撑段,203为阳极引脚段,301为光电效应端,302为阴极支撑段,303为阴极引脚段,4为支撑柱。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
如图1所示,本实用新型公开的光电传感器,包括壳体1、阳极和阴极,所述的阴极包括半球壳形状的光电效应端301、阴极支撑段302以及阴极引脚段303,所述阳极包括电子接收端201、阳极支撑段202以及阳极引脚段203,所述电子接收端201位于光电效应端301上方,所述光电效应端301和电子接收端201之间的距离小于阳极支撑段202和阴极支撑段302之间的距离。在光电传感器工作过程中,首先,在阳极加上正电压,在阴极加上负电压,当有足够能量的光线照射时,阴极的光电效应端301就会发生光电效应,发射光电子,光电子在阴阳两极电压差产生的电场力作用下向阳极的电子接收端201移动,被电子接收端201吸收,电荷移动产生电流,如此,光电传感器就将光照转换成了电流信号。半球壳形状的光电效应端301可以接收来自其上方和周围的光线产生光电子,并被阳极很好地接收,所以该光电传感器可以很好地探测来源方向更广的光线。光电效应端301和电子接收端201之间的距离小于阳极支撑段和阴极支撑段之间的距离,如此,有利于电子接收端201接收光电子。
在光电传感器中,如果通过壳体1支撑阳极和阴极,会因为壳体较薄,容易造成损坏,所以,作为优选方式,所述壳体1底部设置有支撑柱,所述阳极与阴极穿过支撑柱4。这样用支撑柱4支撑阴极和阳极就可以使光电传感器更牢固。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川天微电子有限责任公司,未经四川天微电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320749822.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体晶片的承载座
- 下一篇:一种慢波电路中的切断负载结构