[实用新型]用于太阳能电池抛光工艺的装置有效
申请号: | 201320748945.2 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN203690330U | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 叶权华;郑飞 | 申请(专利权)人: | 中电电气(扬州)光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人: | 孙忠明 |
地址: | 211400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 抛光 工艺 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于太阳能电池抛光工艺的装置,属于太阳能光伏电池制造技术领域。
背景技术
近几年来,晶体硅太阳能电池的技术取得了很大的进展,新型前表面电极制备技术已经取得了明显的效果,而下一步新型背面结构是目前研发的热点。综合考虑光学和电学性能,背面钝化的新结构电池可以同时具备低的背表面复合速率和高的背反射能力,具有很好的应用前景。该技术主要就是将AL2O3薄膜(或SiO2/SiNx等其它可钝化太阳电池的介质膜),作为P型太阳能电池背面钝化膜(或N型电池正面),主要目的就是让阳光在电池中产生电子及电动,可以安全的到达电路,而不是像其他技术般阳光在电池中产生电子后又双双结合掉、使到达电路因而受阻,这可使电池的转换效率提升1%。对于这种背面钝化介质膜的高效太阳电池来说,背面抛光是一项关键的技术。背面抛光可以消除背面PN结引起的漏点,另一方面可以获得较为平坦的背表面,经介质膜钝化后,可以获得比绒面结构的背表面更低的表面复合速率,同时增强内背表面的反射率,提高太阳电池的长波相应。
目前背面抛光一般在相应的装置中采用湿法刻蚀方法实现,在光伏电池方面一般使用的工艺是:1)热碱浸泡刻蚀,该方法缺点是较难进行单面刻蚀,要做单面刻蚀需要对正面做掩模,这样增加工序,提高工艺成本,较多用在实验研发阶段;2)HF/HNO3混酸体系刻蚀,可采用硅片漂浮在混酸药液中也可采用滚轮带液刻蚀的方法来实现,一般进行单面刻蚀,但是刻蚀效果不如浸泡刻蚀效果好。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种用于太阳能电池抛光工艺的装置,是在目前常规的滚轮带液刻蚀方法使用装置的改进升级,解决现有抛光工艺存在的上述不足,通过本实用新型使用更少的化学药液量,降低电池工艺成本。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的,一种用于太阳能电池抛光工艺的装置,包括槽体和槽体内的电解液,其特征是,所述的槽体内设置由电机驱动的滚轮,阳极电极直接植入滚轮上,阳极电极和槽体内的阴极电极接电源,滚轮带动槽体内的电解液转动的时候阳极电极与硅片接触,从而使硅片形成阳极。
所述阳极电极采用铂电极或金作为电极。
所述与硅片接触的滚轮表面的阳极电极采用惰性金属导电材料制备。
本实用新型通过对现有装置的改造,使用时较HF/HNO3单面刻蚀抛光效果要好,不仅工艺容易控制,而且由于通入电流增强了化学反应强度,与不通电流工艺相比达到相同刻蚀效果,使用更少的化学药液量,所以也节约了化学药液的使用量,降低电池工艺成本。
附图说明
图1为本实用新型装置在刻蚀过程中的结构示意图;
图2本实用新型在硅片和阳极都浸没在电解液中的刻蚀过程的结构示意图;
图中,1槽体,2电解液,3滚轮,4阴极电极,5硅片,6阳极电极,7传送滚轮,8电源。
具体实施方式
结合附图和实施例进一步说明本实用新型,如图1所示,本实用新型的槽体1内设置由电机驱动的滚轮3,阳极电极6直接植入滚轮3上,阳极电极6和槽体1内的阴极电极4接电源,滚轮3带动槽体内的电解液转动的时候阳极电极6与硅片5接触,从而使硅片5形成阳极。
使用时,槽体1内采用10~35% 的氢氟酸溶液(HF)作为电解液2,或采用HF+ H3PO4的混合溶液或碱溶液,各种电解液2中可加入其它辅助试剂,如HF电解液可加入醋酸或醇起到稳定反应或增强反应动力,阳极电极6直接植于滚轮3表面,阳极电极6和槽体1内的阴极电极4接电源8,通过滚轮3带动槽体内的电解液的方式对硅片5背面进行抛光处理。滚轮3带动槽体内的电解液转动的时候阳极电极6可与硅片5接触,从而使硅片5形成阳极,达到刻蚀的目的。其中与硅片5接触的滚轮3表面的阳极电极6采用惰性金属导电材料制备。
如图2所示,在需要双面抛光或双面刻蚀的时候,本实用新型中的硅片5和阳极都浸没在电解液2中,通过传送滚轮7将硅片5传送到滚轮3上。滚轮3和传送滚轮7都是通过马达完成驱动,上下滚轮通过齿轮咬合同步转动,这是目前常规滚轮带液刻蚀采用的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的