[实用新型]一种基于电致伸缩效应的光纤Bragg光栅磁场传感器有效

专利信息
申请号: 201320748542.8 申请日: 2013-11-25
公开(公告)号: CN203587783U 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 李川;赵成均;王敏吉;陈富云;庄君刚;赵振刚;谢涛 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: G01R33/06 分类号: G01R33/06;G01B11/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 伸缩 效应 光纤 bragg 光栅 磁场 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于电致伸缩效应的光纤Bragg光栅磁场传感器,其特征在于:包括直流异步电机(1)、电机转轴(2)、换向器(3)、电刷(4)、矩形线圈(5)、桥式整流二极管(6)、滤波电容(7)、保护电阻(8)、光纤Bragg光栅(9)、压电陶瓷(10)、粘接点(11)、外接引出光纤(12);其中直流异步电机(1)、电机转轴(2)、换向器(3)和矩形线圈(5)固定在一起,电刷(4)与换向器(3)相接触且电刷(4)的触点通过导线与桥式整流二极管(6)相连,桥式整流二极管(6)的引出端与滤波电容(7)、保护电阻(8)相连,光纤Bragg光栅(9)通过两个粘接点(11)粘接在压电陶瓷(10)上,并与外接引出光纤(12)相连。

2.根据权利要求1所述的基于电致伸缩效应的光纤Bragg光栅磁场传感器,其特征在于:所述光纤Bragg光栅(9)通过环氧胶粘贴在叠堆型压电陶瓷(10)的表面中心轴线上。

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