[实用新型]多电源供电选择电路

权利要求书

1.一种多电源供电选择电路，其特征在于，包括：

第一晶体管，其漏极电性连接至烧写电源，其中，所述第一晶体管的漏极与所述烧写电源之间的节点定义为第一节点；

第二晶体管，其漏极电性连接至内部电源，其栅极与源极电性连接在一起，且进一步电性连接至所述第一晶体管的源极，其中，所述第二晶体管的栅极和源极以及所述第一晶体管的源极之间的节点定义为第二节点；

第三晶体管，其源极电性连接至所述第一节点，其背栅极电性连接至所述第二节点，且其栅极通过第一电阻电性连接至所述第二节点，而其漏极作为烧写节点；

第四晶体管，其源极电性连接至所述烧写节点，其栅极通过第二电阻电性连接至其源极，而其漏极通过低压差线性稳压器而电性连接至所述内部电源；

第五晶体管，其栅极接收电源选择信号，其源极接地，而其漏极通过分压电路电性连接至所述第一晶体管的源极，其中，所述第一晶体管的栅极电性连接在所述分压电路中的分压节点；

第六晶体管，其栅极接收所述电源选择信号，其源极接地，而其漏极电性连接第三晶体管的栅极；

第七晶体管，其栅极通过反相器而电性连接所述电源选择信号，其源极接地，而其漏极电性连接所述第四晶体管的栅极；

其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、和所述第四晶体管分别为第一类型晶体管，而所述第五晶体管、所述第六晶体管、和所述第七晶体管分别为与所述第一类型晶体管相反的第二类型晶体管。

2.根据权利要求1所述的多电源供电选择电路，其特征在于，所述第一类型晶体管为PMOS晶体管，而所述第二类型晶体管为NMOS晶体管。

3.根据权利要求2所述的多电源供电选择电路，其特征在于，所述分压电路包括：

第三电阻，

第四电阻，其中，所述第三电阻和所述第四电阻串联在一起，且所述第三电阻与第四电阻之间的节点作为所述分压节点。

4.根据权利要求3所述的多电源供电选择电路，其特征在于，所述第一晶体管的栅极通过所述第三电阻而电性连接所述第一晶体管的源极。

5.根据权利要求2所述的多电源供电选择电路，其特征在于，进一步包括：

第六电阻，其电性连接在所述第一节点与地之间。

6.根据权利要求2所述的多电源供电选择电路，其特征在于，进一步包括：

负载电容，其电性连接在所述烧写节点与地之间。

7.根据权利要求2所述的多电源供电选择电路，其特征在于，进一步包括：

电容，其电性连接在所述第四晶体管的漏极与地之间。