[实用新型]热场装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及热场领域，更具体地，涉及一种热场装置。

背景技术

如图1所示，单晶炉中的中保温罩1的外壁上包裹有保温毡4，由于一部分带有热量的气流会在中保温罩1的上侧和下侧流出，这部分热量会释放在紧靠中保温罩的那部分保温毡4上，于是，最终会造成该部分保温毡4发生老化，失去保温效果；另外，该部分保温毡4老化后变成粉末状，极容易污染单晶硅的生长环境。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种热场装置，以解决现有技术的环绕中保温罩的保温毡容易发生老化的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种热场装置，包括中保温罩和保温毡，保温毡环绕中保温罩设置，热场装置还包括：第一保护环，第一保护环设置在中保温罩的上端的外壁上；第二保护环，第二保护环设置在中保温罩的下端的外壁上；其中，保温毡的至少一部分位于第一保护环和第二保护环之间的凹槽内。

进一步地，中保温罩的上端设置有沿中保温罩的径向凹入的第一台阶，第一保护环安装在第一台阶上；中保温罩的下端设置有沿中保温罩的径向凸出的第二台阶，第二保护环安装在第二台阶上。

进一步地，第二保护环的截面为L形，且第二保护环包括与第二台阶配合的内凸起和下凸起。

进一步地，保温毡包括多层碳毡，且紧靠中保温罩的第一层至第三层的碳毡位于凹槽内。

进一步地，保温毡包括八层碳毡。

进一步地，中保温罩与第一保护环和第二保护环为一体结构。

进一步地，热场装置还包括：隔热件，隔热件设置在中保温罩和保温毡之间。

进一步地，隔热件为钼片。

进一步地，第一保护环和第二保护环由石墨、或碳-碳材料、或固化硬毡制成。

本实用新型的中保温罩上设置有第一保护环和第二保护环，且保温毡的至少一部分设置在第一保护环和第二保护环之间的凹槽内，这样，既可以防止从中保温罩的上、下两侧流出的气体老化该部分保温毡，又可以避免变成粉末状的保温毡进入中保温罩的内侧，污染单晶硅生长的环境。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1示意性示出了现有技术中的热场装置的结构示意图；以及

图2示意性示出了本实用新型中的热场装置的结构示意图。

图中附图标记：1、中保温罩；4、保温毡；10、中保温罩；11、第一台阶；12、第二台阶；20、第一保护环；30、第二保护环；40、保温毡；50、隔热件。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

本实用新型提供了一种热场装置，请参考图2，该热场装置包括中保温罩10和保温毡40，保温毡40环绕中保温罩10设置，热场装置还包括：第一保护环20，第一保护环20设置在中保温罩10的上端的外壁上；第二保护环30，第二保护环30设置在中保温罩10的下端的外壁上；其中，保温毡40的上端的至少一部分位于第一保护环20和第二保护环30之间的凹槽内。

如图2所示，本实用新型的中保温罩10上设置有第一保护环20和第二保护环30，且保温毡40的至少一部分设置在第一保护环20和第二保护环30之间的凹槽内，这样，既可以防止从中保温罩10的上、下两侧流出的气体老化该部分保温毡40，又可以避免变成粉末状的保温毡40进入中保温罩10的内侧，污染单晶硅生长的环境。

优选地，中保温罩10的上端设置有沿中保温罩10的径向凹入的第一台阶11，第一保护环20安装在第一台阶11上；中保温罩10的下端设置有沿中保温罩10的径向凸出的第二台阶12，第二保护环30安装在第二台阶12上。将第一保护环20和第二保护环30分别安装在第一台阶11和第二台阶12上，可以比较方便地实现第一保护环20和第二保护环30的安装。

优选地，第二保护环30的截面为L形，且第二保护环30的内侧的两个侧面分别与第二台阶12的两个侧面相贴合。这样，可以提高第二保护环30的固定效果。

优选地，保温毡40包括多层碳毡，且至少一层碳毡位于凹槽内。这样，可以防止紧靠中保温罩10的碳毡发生老化。

优选地，保温毡40包括八层碳毡。根据实际情况，可以通过增加碳毡的层数来达到提高保温效果的目的。