[实用新型]一种打火杆烧球的氮气保护装置有效
申请号: | 201320724838.6 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN203596337U | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 周宗涛 | 申请(专利权)人: | 诺得卡(上海)微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488 |
代理公司: | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人: | 李征旦 |
地址: | 上海市闵行区浦星路78*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 打火 杆烧球 氮气 保护装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种防氧化保护装置,尤其涉及应用于合金丝焊接技术中的一种打火杆烧球的氮气保护装置。
背景技术
在集成电路的封装工艺中,需要从集成电路芯片中引线到框架引脚,由于特性问题,其中引线、焊线一般为纯金丝,大部分是通过金丝球焊机来完成金线与芯片、引脚的焊接工作,银合金丝取代金丝的球焊技术,是一项近一到两年才开始研究的新兴的技术。银合金丝的成本约为金丝的1/3到1/4,银合金丝以它的低成本,有望在不远的几年中取代占据50年统治地位的金丝的趋势。
金丝在形成球的过程中,几乎不与空气形成氧化层。然后与集成电路芯片上的压焊点,在超声波和压力以及适当的温度下,才能形成可靠的焊接。但是银合金丝在球焊的过程中,由于银的组分高达90%,在高压放电时,在形成球的过程中会产生氧化层。这种氧化层会影响球焊的可焊性,从而影响产品的成品率和可靠性。为了解决这个问题,在ESEC金丝球焊机上需要加装一个称为EFO KIT(打火杆烧球的氮气保护装置)的装置。
目前在ESEC3100,ESEC3200系列的金丝球焊机上有两种EFO KIT.一种原配EFO KIT是陶瓷材料,另一种是由合金丝供应商提供的是耐高温的聚酯型的,请参阅图1,这两种EFO KIT,都包括一氮气嘴固定架1′和一氮气嘴2′,区别在于氮气嘴固定架1′的材质不同,氮气嘴固定架1′为长方体结构,氮气嘴固定架1′的底部向上开设一前后贯通的凹槽11′,凹槽11′的槽底为圆弧形,氮气嘴固定架1′的一侧横向开设一与凹槽11′的一侧的槽壁贯通的孔12′,氮气嘴2′安装在孔12′内且其一端延伸至嘴固定架1′的外部方便与供氮装置相连,在使用时,氮气嘴2′通过导气管3与供氮装置4相连,氮气嘴2′对金丝球焊机上银合金丝焊线进行高温烧球时的焊线烧球区域5即打火点位置吹氮气而使之与空气中的氧气隔离,从而实现防氧化保护。
这两种EFO KIT,都要进入特殊的铜线工作模式.安装和使用都很麻烦.原装的还经常由于压板的误动而损坏陶瓷材料的打火杆烧球的氮气保护装置,而且只从一侧吹氮气对焊线烧球区域进行防氧化保护,使得合金丝对集成电路芯片上的压焊点经常有一部分焊接质量不达标,影响焊接产品的成品率和可靠性。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷而提供一种打火杆烧球的氮气保护装置,通过两个氮气嘴对金丝球焊机上银合金丝焊线进行高温烧球时的焊线烧球区域即打火点位置吹氮气而使之与空气隔离,可以进一步提高焊接产品的成品率和可靠性。
实现上述目的的技术方案是:一种打火杆烧球的氮气保护装置,包括氮气嘴固定架、第一氮气嘴和第二氮气嘴,其中:
所述氮气嘴固定架为长方体结构,所述氮气嘴固定架的底部向上开设一前后贯通的凹槽,所述凹槽的槽底为圆弧形,所述氮气嘴固定架的一侧横向开设一与所述凹槽的一侧的槽壁贯通的第一孔,所述氮气嘴固定架的顶部垂直开设一与所述凹槽的槽底贯通的第二孔;
所述第一氮气嘴安装在所述第一孔内且其一端延伸至所述氮气嘴固定架的外部;
所述第二氮气嘴安装在所述第二孔内且其一端延伸至所述氮气嘴固定架的外部。
上述的一种打火杆烧球的氮气保护装置,其中,所述第一孔的孔径和第二孔的孔径相同,且第一孔的轴线的延长线和第二孔的轴线的的延长线相交于所述凹槽内。
上述的一种打火杆烧球的氮气保护装置,其中,所述氮气嘴固定架采用聚酯耐高温材质或陶瓷材质。
本实用新型的打火杆烧球的氮气保护装置,在现有技术中的EFO KIT上加装一个吹气嘴,通过两个氮气嘴对金丝球焊机上银合金丝焊线进行高温烧球时的焊线烧球区域即打火点位置吹氮气而使之与空气隔离,从而实现更好的更为有效的防氧化保护的目的,进一步提高产品的成品率和可靠性。
附图说明
图1是现有技术的打火杆烧球的氮气保护装置的剖面图;
图2是本实用新型的打火杆烧球的氮气保护装置的剖面图。
具体实施方式
为了使本技术领域的技术人员能更好地理解本实用新型的技术方案,下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造