[实用新型]一种模拟温控电路

说明书

技术领域

本发明属于温控技术领域，更具体地，涉及一种模拟温控电路。

背景技术

随着在航天科技、智能家电、仪器检测、食品加工等领域控温电路产品的广泛应用，特别是在航天科技，仪器检测等行业，控温使用环境也越来越复杂多变，其对温度控制的精度和可靠性要求也越来越高。现有的数字温控电路采用集成芯片来进行控温，由于大部分集成芯片采用PWM进行控制和驱动，在电路中容易产生频率干扰，造成产品功能性故障，即现有的温控电路不能满足高灵敏度、高可靠性的要求。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种模拟温控电路，其目的在于提高灵敏度和降低成本，由此解决现有数字温控电路较复杂，成本较高且可靠性较差的技术问题。

本实用新型提供了一种模拟温控电路，包括依次连接的测温输出模块、参考电压输出模块和开关电流模块；工作时，测温输出模块用于采集外部电路器件的温度，参考电压输出模块用于将采集的温度与预设的温度进行比较，并根据比较结果输出高电平信号或低电平信号，开关电流模块用于根据所述参考电压输出模块输出的高电平信号或低电平信号输出用于控制外部电路器件温度的致冷或致热电流信号。

更进一步地，测温输出模块包括依次串联连接在+5V电压与-5V电压之间的参考电阻R1和测温电阻Rs；所述参考电阻R1和测温电阻Rs的串联连接端作为所述测温输出模块的输出端。

更进一步地，所述参考电压输出模块包括反相比较器，所述反相比较器的正相输入端接地，所述反相比较器的反相输入端作为所述参考电压输出模块的输入端连接至所述测温输出模块的输出端；所述反相比较器的输出端作为所述参考电压输出模块的输出端。

更进一步地，所述开关电流模块包括：第一开关管V1、第二开关管V2、第三开关管V3、第四开关管V4、电容C1、电容C2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R2、电阻R8和电阻RT；第一开关管V1的控制端与第二开关管V2的控制端连接，第一开关管V1的第一端通过电阻R4连接至+5V电压，第一开关管V1的第二端与第二开关管V2的第一端连接后接地；第二开关管V2的第二端通过电阻R5连接至-5V电压；所述第一开关管V1的控制端用于控制所述第一开关管V1的第一端与第二端之间的导通或截止；所述第二开关管V2的控制端用于控制所述第二开关管V2的第一端与第二端之间的导通或截止；第三开关管V3的控制端通过电阻R6连接至第一开关管V1的控制端，第三开关管V3的第一端连接至+5V电压，第三开关管V3的第二端通过电容C1连接至第三开关管V3的控制端；所述第三开关管V3的控制端用于控制所述第三开关管V3的第一端与第二端之间的导通或截止；第四开关管V4的控制端通过电阻R7连接至第二开关管V2的第二端，第四开关管V4的第一端通过电容C2连接至第四开关管V4的控制端，第四开关管V4的第二端连接至-5V电压；所述第四开关管V4的控制端用于控制所述第四开关管V4的第一端与第二端之间的导通或截止；电阻R2的一端作为所述开关电流模块的输入端连接至所述参考电压输出模块的输出端，电阻R2的另一端连接至所述第一开关管V1的控制端；电阻R3的一端连接至所述电阻R2的一端，所述电阻R3的另一端连接至所述第三开关管V3的第二端和所述第四开关管V4的第一端；电阻R8和电阻RT依次串联连接在第三开关管V3的第二端与地之间。

更进一步地，所述第一开关管为NPN型MOS管，所述第二开关管为PNP型MOS管；NPN型MOS管的栅极作为所述第一开关管的控制端，NPN型MOS管的漏极作为所述第一开关管的第一端，NPN型MOS管的源极作为所述第一开关管的第二端；PNP型MOS管的栅极作为所述第二开关管的控制端，PNP型MOS管的源极作为所述第二开关管的第一端，PNP型MOS管的漏极作为所述第一开关管的第一端。

更进一步地，所述第三开关管为PNP型MOS管，所述第四开关管为NPN型MOS管；PNP型MOS管的栅极作为所述第三开关管的控制端，PNP型MOS管的源极作为所述第三开关管的第一端，PNP型MOS管的漏极作为所述第三开关管的第一端；NPN型MOS管的栅极作为所述第四开关管的控制端，NPN型MOS管的漏极作为所述第四开关管的第一端，NPN型MOS管的源极作为所述第四开关管的第二端。

本实用新型采用模拟器件实现控温功能，器件简单，电路可靠，并且经试验验证，控温精度可以达到万分之五，实现了高灵敏度控温的目的。

附图说明

图1是本实用新型提供的模拟温控电路的原理框图；