[实用新型]反熔丝结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种反熔丝结构。 

背景技术

反熔丝是一种电子器件，最初反熔丝的电阻十分大，不导通电流，当电压达到一定值时，便能够将反熔丝导通。反熔丝广泛用在永久性编程器件之中，例如一些可编程逻辑器件（Programmable Logic Devices,PLD）、可编程只读存储器（Programmable Read-Only Memory,PROM）等。 

通常反熔丝是在金属和导体之间形成一层薄薄的阻挡层，所述阻挡层通常为不定型硅（Amorphous Silicon），由于最初所述不定形硅并不能导体电流，然而随着施加在不定形硅两端有效电压的提升，便能够将不定型硅转化成多晶金属硅（Polycrystalline Silicon-Metal）合金，其具有较低的电阻，从而能够导通电流。在其他例子中，反熔丝可以由钨、钛和硅组合而成。 

然而，由于反熔丝的属性会随着时间的变化而出现一个趋势，反熔丝长期的可靠性如何是很重要的问题。 

请参考图1，现有技术中，反熔丝结构为梳状结构，包括：第一梳状结构10和第二梳状结构20，所述第一梳状结构10上设有若干第一插指11，所述第二梳状结构20上设有若干第二插指21，所述第一插指11和第二插指21交错排列，所述第一梳状结构10和第二梳状结构20相互隔离。 

在反熔丝熔通时，可以在所述第一梳状结构10和第二梳状结构10上施加熔通电压，使其由高阻态转变为低阻态。 

请参考图2，现有技术中，反熔丝结构还可以为梳状-蛇形结构，即在上述梳状结构的反熔丝结构之间添加一蛇形结构30，所述蛇形结构30设于所述第一 插指11和第二插指21之间，并与所述第一插指11和第二插指21均隔离。 

然而，由于芯片版图的规则限定，所述第一插指11和第二插指21之间的距离L、所述第一插指11和蛇形结构30之间的距离通常均较大，在对上述结构进行熔通时，所要施加的熔通电压通常在几十伏特才能击穿上述结构，并使之导通。实际上，反熔丝在正常使用时，其工作电压一般为几伏特，因此，上述结构并不能达到先进制程的需求。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种反熔丝结构，能够降低熔通电压，其熔通电压较小，进而保证反熔丝在工作电压较低的先进制程中保持很好的良率和可靠性。 

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种反熔丝结构，包括： 

第一端子、第二端子以及若干通孔连线，所述第一端子包括第一梳状结构和第二梳状结构，所述第一梳状结构和第二梳状结构相隔离，所述第二端子位于所述第一端子后一层，所述第二端子与所述通孔连线相连，所述通孔连线位于所述第一梳状结构和第二梳状结构之间。 

进一步的，所述第一梳状结构包括若干第一插指。 

进一步的，所述第二梳状结构包括若干第二插指。 

进一步的，所述第一插指或第二插指的间距（S2）范围是5nm～200nm。 

进一步的，所述通孔连线与所述第一插指和第二插指正向一一对应。 

进一步的，所述通孔连线与所述第一插指和第二插指交错对应。 

进一步的，所述通孔连线与所述第一插指交错对应，与所述第二插指正向一一对应。 

进一步的，所述通孔连线与所述第一插指交错的长度（S3）范围是0nm～100nm。 

进一步的，所述通孔连线与所述第一插指或第二插指的水平距离（S1）范 围是20nm～200nm。 

进一步的，一部分所述通孔连线位于所述第一插指上，另一部分所述通孔连线位于所述第二插指上。 

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：在所述第一梳状结构和第二梳状结构之间增加通孔连线，所述通孔连线还连接第一端子，在熔通时，分别在所述第一端子和第二端子之间施加熔通电压，由于所述通孔连线位于所述第一梳状结构和第二梳状结构之间，能够增加所述通孔连线与第一梳状结构和第二梳状结构之间的电场，即施加的熔通电压较小时也能够实现击穿导通，进而保证反熔丝在工作电压较低的先进制程中保持很好的良率和可靠性。 

附图说明

图1为现有技术中一梳状结构的反熔丝结构的结构示意图； 

图2为现有技术中一梳状-蛇形结构的反熔丝结构的结构示意图； 

图3为本实用新型实施例一中的反熔丝结构的结构示意图； 

图4为本实用新型实施例二中的反熔丝结构的结构示意图；