[实用新型]晶边缺陷检测装置有效
| 申请号: | 201320717902.8 | 申请日: | 2013-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN203659814U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
| 发明(设计)人: | 张鹏;张珏;陈思安;刘寅杰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/01 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 缺陷 检测 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种晶边缺陷检测装置。
背景技术
在现在半导体生产工艺中,存在洗边工艺,即清洗晶圆的周边(也称为晶边)的工艺,正常情况下,晶边是干净的,但有时晶边异常,会形成缺陷源(defect source),缺陷源在经过酸槽制程后,会有很多杂质颗粒被冲到晶圆上,严重影响晶圆的良率。
目前,可以采机台检测晶圆的晶边和晶圆正面的较为宏观的杂质,但无法检测晶圆背面的杂质。
因此,如何提供一种可以自动扫描并判别晶边状况的晶边缺陷检测装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶边缺陷检测装置,可以自动扫描并判别晶边状况。
为了达到上述的目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种晶边缺陷检测装置,包括工艺腔、晶圆升降机构、圆形轨道、探测单元以及用于对准晶圆的凹口的起始阻隔器,所述工艺腔分成上腔室和下腔室,所述轨道设置于所述上腔室中,所述晶圆升降机构设置于所述工艺腔内并能够将晶圆从下腔室抬升到上腔室的所述轨道的中心位置,并且使得所述晶圆和所述轨道在同一平面内,所述起始阻隔器设置于所述轨道的内侧,所述探测单元能够沿着所述轨道从所述起始阻隔器的一侧绕到另一侧以实现对晶边的扫描检测。
优选的,在上述的晶边缺陷检测装置中,所述探测单元包括探测支架、驱动机构以及设置于所述探测支架上的三个探测组,所述驱动机构驱动所述探测支架沿所述轨道内侧移动。
优选的,在上述的晶边缺陷检测装置中,所述三个探测组包括上、中、下探测组,每个探测组包括同轴设置的光源和探头,临近探测组的探测范围的交叉区域最少为本身探测范围的5%。
优选的,在上述的晶边缺陷检测装置中,所述中探测组设置于位于所述轨道内的所述晶圆的正侧面,所述上探测组设置于所述位于所述轨道内的所述晶圆的斜上方,所述下探测组设置于所述位于所述轨道内的所述晶圆的斜下方。
优选的,在上述的晶边缺陷检测装置中,所述上探测组和所述下探测组相对位于所述轨道内的晶圆对称设置。
优选的,在上述的晶边缺陷检测装置中,所述三个探测组的探测范围能够调节。
优选的,在上述的晶边缺陷检测装置中,还包括机械手臂,所述下腔室的一侧设有供所述机械手臂进出的入口。
优选的,在上述的晶边缺陷检测装置中,还包括计算控制单元,所述计算控制单元和所述探测单元连接,所述控制器接收来自所述探测单元的各局部区域扫描信息,并对各局部区域扫描信息进行比较分析找出有缺陷的局部区域扫描信息。
优选的,在上述的晶边缺陷检测装置中,还包括显示单元,所述显示单元与所述计算控制单元连接。
本实用新型提供的晶边缺陷检测装置,包括工艺腔、晶圆升降机构、圆形轨道、探测单元以及用于对准晶圆的凹口的起始阻隔器,所述工艺腔分成上腔室和下腔室,所述轨道设置于所述上腔室中,所述晶圆升降机构设置于所述工艺腔内并能够将晶圆从下腔室抬升到上腔室的所述轨道的中心位置,并且使得所述晶圆和所述轨道在同一平面内,所述起始阻隔器设置于所述轨道的内侧,所述探测单元能够沿着所述轨道从所述起始阻隔器的一侧绕到另一侧以实现对晶边的扫描检测,主要具有以下优点:
1.本实用新型通过设置正对晶圆的凹口的起始阻隔器,可以控制探测单元不扫描晶圆的凹口,即扫描不到晶圆的凹口,因此,无需操作人员判断是晶边破口还是正常的晶圆凹口。尤其对于计算控制单元控制的情况,由于无需判断晶边破口还是正常的晶圆凹口,因而可以使得算法简单,易实现,降低了对系统电脑硬件配置的要求。
2.本实用新型探侧单元检测完毕后无需复位校正,故寿命长,PM周期长,生产维护成本低。
3.本实用新型无需真空或正压,就能更好控制检测过程中杂质颗粒的掉落。
4.本实用新型能准确反映晶边缺陷状况,更好的帮助分析缺陷的根本的原因,降低人力消耗,提高效率。
5.本实用新型不受产品晶圆尺寸(die size)及图层(layer)影响,极大提高了机台利用率。
附图说明
本实用新型的晶边缺陷检测装置由以下的实施例及附图给出。
图1是本实用新型的晶边缺陷检测装置的结构示意图;
图2是本实用新型的晶边缺陷检测装置中晶圆与探测单元的结构示意图;
图3是本实用新型的晶边缺陷检测装置中探测单元和轨道的结构示意图;
图4是本实用新型晶圆进下腔室时的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320717902.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





