[实用新型]一种双极性磁场强度指示器有效
申请号: | 201320695916.4 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN203658559U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 丁峰平;林涛 | 申请(专利权)人: | 杭州市烟草公司富阳分公司 |
主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 311400 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 极性 磁场强度 指示器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种磁场强度的检测装置,尤其是一种将N级和S级的磁场强度不分极性统一按强度指示的检测装置。
背景技术
目前,一般的霍尔传感器对于微弱磁场的输出信号是较为微弱,并且检测的磁场是具有极性区别的。应用于检测地板和墙壁内暗格的磁场时,由于信号太小,经常使得检测不够准确,很难准确的找到暗格。因此我们需要一种可以准确检测微弱磁场强度的装置,便于快速的找到暗格。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决微弱磁场难以进行精准检测的问题。
为了解决以上问题,本实用新型提供了以下技术方案:一种双极性磁场强度指示器,包括信号接收模块、选择模块、放大模块和显示模块,所述信号接收模块依次连接选择模块、放大模块、显示模块,所述信号接收模块包括一个线性霍尔传感器,所述选择模块包括一个运算放大器、一个比较器和一个模拟通道,所述放大模块包括三个运算放大器,所述显示模块包括多个指示灯和数量相对应的比较器。
所述显示模块设置有一个蜂鸣器和与蜂鸣器相对应的比较器。
本实用新型的有益效果:该检测装置通过放大电路将微弱的信号放大,以便于精准地检测磁场强度,从而快捷地找到暗格,具有经济实用等优点。
附图说明
附图1是本实用新型的结构原理示意图。
附图2是本实用新型的电路原理示意图。
1、信号接收模块;2、选择模块;3、放大模块; 4、显示模块;SP、蜂鸣器;H1、线性霍尔传感器;R1~R29/RG、电阻;U2、模拟通道;U1/U4~U6、运算放大器;U3/U7~U13、比较器;D1~D6、指示灯。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型所述的一种双极性磁场强度指示器作进一步的说明。
如图1中所示,本实施例的一种双极性磁场强度指示器,包括信号接收模块1、选择模块2、放大模块3和显示模块4,所述信号接收模块1依次连接选择模块2、放大模块3、显示模块4,所述信号接收模块1包括一个线性霍尔传感器H1,所述选择模块2包括一个运算放大器U1、一个比较器U3和一个模拟通道U2,所述放大模块3包括三个运算放大器U4/U5/U6,所述显示模块4包括多个指示灯D1~D6和数量相对应的比较器U8~U13。首先,由信号接收模块1感应磁场,并通过电压信号传输至选择模块2,选择模块2将决定后的电压信号传输至放大模块3进行放大,最终通过显示模块4显示出磁场强度。
如图2中所示,本实施例中,所述显示模块3设置有一个蜂鸣器SP和与蜂鸣器SP相对应的比较器U7。线性霍尔传感器H1的电压输出经过运算放大器U1组成的反相比例放大器后,将正向信号和反相信号输入给模拟通道U2。模拟通道U2的控制信号由比较器U3输出提供。U3比较的是线性霍尔传感器H1的输出电压和供电电压的二分之一。当线性霍尔传感器H1输出电压高于供电电压的二分之一时,模拟通道U2选择线性霍尔传感器H1的输出电压为其输出电压;当线性霍尔传感器H1输出电压低于供电电压的二分之一时,模拟通道U2选择线性霍尔传感器H1输出的反相电压为其输出电压。这样一来无论线性霍尔传感器H1检测到N级还是S级的磁场,也无论其输出是高于还是低于供电电压的二分之一,最终提供给后级电路的电压始终是正向的。
本实施例中,R1/R2/R3/R4/R5/R6/R15/R25=10K欧姆,R7/R8=100K欧姆,R9/R10=1M欧姆,R11/R29=45K欧姆,R12/R28=40K欧姆,R13/R27=30K欧姆,R14/R26=20K欧姆,R16/R24=5K欧姆,R17/RG=100欧姆。当需要改变该电路的放大比例以及部分功能时,可以改变各个电阻的电阻值。
放大模块3,由运算放大器U4/U5/U6和电阻R5~R10/RG组成,利用差分输入方式,将前级电路输出中的偏置电压消除掉,进而可以输出以零为基准的放大信号。
显示模块4,放大信号传入后,只要放大信号大于最低设定值,蜂鸣器SP会发出声响,提示操作人员检测到磁场。只要信号越大,指示灯D1~D6亮起的灯数就越多,也就表示检测到的磁场强度越高。
本实施例中,所述指示器的电源供应可以是内置电池也可以是外接电源,可以根据具体情况而视。在工作原理和功能不变的情况下,任何对元器件数量上的改动都属于本实用新型的保护范围。
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